Magdalena Posted October 14, 2023 Share Posted October 14, 2023 ფორმალურად Samsung Electronics არა მხოლოდ უსწრებდა TSMC-ს 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის დანერგვის თვალსაზრისით რამდენიმე თვით, არამედ მნიშვნელოვნად უსწრებდა კონკურენტებს წრიული ჩამკეტი ტრანზისტორების (GAAFET) გამოყენებაზე გადასვლის თვალსაზრისით. სამხრეთკორეელი მწარმოებელი ახლა იმედოვნებს, რომ გაასწრებს თავის კონკურენტებს 2-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის განვითარებაში თუნდაც ამჟამინდელი 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის გაფართოების ხარჯზე. ფოტოს წყარო: Samsung Electronics როგორც DigiTimes აცხადებს, კორეული გიგანტის საკონტრაქტო განყოფილება ახლა ახდენს თავისი რესურსების და ძალისხმევის მობილიზებას 2-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის განვითარების დაჩქარებაზე, თუნდაც ეს ნიშნავდეს 3 ნმ ტექნოლოგიის დანერგვის მასშტაბის შეწირვას. Samsung-მა მისი გამოყენება მასობრივ წარმოებაში დაიწყო 2022 წლის ივნისის ბოლოს, მაგრამ TSMC-ს, რომელიც დაახლოებით ექვსი თვით ჩამორჩებოდა, მაინც უფრო მეტი მომხმარებელი ჰყავს ამ ეტაპისთვის. ინდუსტრიის ექსპერტები იმედოვნებენ, რომ 2-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი და მისი ანალოგები ფართოდ გავრცელდება 2025 წელს. თუ Samsung Electronics ცდილობს, რომ გახდეს ბაზარზე სერიოზული მოთამაშე ჩიპების საკონტრაქტო წარმოების მოწინავე ლითოგრაფიის გამოყენებით, იგი ახლა აქტიურად უნდა დაეუფლოს 2 ნმ სტანდარტებს. TrendForce-ის თანახმად მიმდინარე წლის პირველ კვარტალში TSMC აკონტროლებდა გლობალური საკონტრაქტო ჩიპების წარმოების სერვისების ბაზრის თითქმის 60%-ს. Samsung-ის მენეჯმენტს სურს, რომ კომპანია გახდეს ტექნოლოგიების ლიდერი ამ სფეროში მაქსიმუმ ხუთი წლის განმავლობაში. 2 ნმ ტექნოპროცესის წარმატებით დაუფლების შესაძლებლობა დიდწილად განსაზღვრავს, არის თუ არა ეს მიზანი მიღწევადი. 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში, როგორც სამხრეთკორეული მედია აღნიშნავს, TSMC-სა და Samsung-ს აქვთ შესაბამისი პროდუქციის შემოსავლიანობის თანაბარი დონე, 50-დან 60%-მდე, მაგრამ თუ პირველი ორიენტირებულია ამ პროფილის წარმოების შესაძლებლობების გაფართოებაზე, მეორე უკვე ფიქრობს 2-ნმ ტექნოლოგიაზე გადასვლაზე. ადრეული სამუშაოები მიმდინარეობს პოტენციურ მომხმარებლებთან, რომლებიც მომავალში შეძლებენ შეუკვეთონ მისგან 2-ნმ პროდუქცია საკუთარი პროექტებისთვის. TSMC-ისგან განსხვავებით Samsung-ს არ სჭირდება GAAFET ტრანზისტორის სტრუქტურის პირველად გამოყენება 2 ნმ ტექნოლოგიის ფარგლებში, რადგან ის 3-ნანომეტრიან ეტაპზე დაინერგა. ამავდროულად, TSMC-მა შესაძლოა დაიწყოს 2 ნმ ჩიპების სატესტო წარმოება მიმდინარე წელსვე, რადგან Intel-ის სწრაფი პროგრესი ამ სფეროში საფრთხეს უქმნის ორივე მოქმედ კომპანიას. https://tinyurl.com/562sxf9p Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.