Magdalena Posted July 20, 2023 Share Posted July 20, 2023 Samsung-სა და TSMC-ს შორის კონკურენცია 3- და 4-ნანომეტრიანი ნახევრადგამტარების საკონტრაქტო წარმოების ბაზარზე მძაფრდება და Samsung-მა განაცხადა, რომ მან მიაღწია TSMC-ის მსგავს მაჩვენებლებს პროდუქციის წლიური წარმოების მხრივ - წერს კორეული გაზეთი Kukmin Ilbo. გარდა ამისა, 4-ნანომეტრიანი ტექნოლოგია იყო კომპანიის უახლესი ეტაპი FinFET ტრანზისტორების გამოყენებაში, რომელიც 16-ნანომეტრიან სტანდარტებზე გადასვლით დაიწყო. ფოტოს წყარო: news.kmib.co.kr Samsung Foundry-ს 4-ნანომეტრიანი კრისტალების გამოსვლა, კომპანიის განცხადებით, შეადგენს 75%-ს, TSMC-ის შემთხვევაში ეს მაჩვენებელი 80%-ია. 4-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი გამოიყენება უახლესი თაობის ცენტრალურ და გრაფიკულ პროცესორებში. ხოლო მოწინავე 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით კორეულმა კომპანიამ წინსვლა შეძლო. GAAFET ტრანზისტორების ახალ ნორმებზე გადასვლით Samsung-მა მიაღწია პროდუქციის წლიური წარმოების 60%-ს იმ დროს, როდესაც TSMC-ის მაჩვენებელი 55%-ია. ამავე დროს, TechPowerUp აღნიშნავს, რომ Intel Foundry Services-მა გამოუშვა საკუთარი გადაწყვეტილება, რომელსაც შეუძლია კონკურენცია გაუწიოს აზიური კონტრაქტორების პროდუქტებს: Intel 3 ტექნოლოგია ფიზიკურად დაფუძნებულია 7-ნანომეტრიან FinFET ტრანზისტორებზე, თუმცა უზრუნველყოფს Samsung-ისა და TSMC-ის 3-ნანომეტრიანი ჩიპების მსგავს წარმადობას. 2024 წელს ამერიკელი მწარმოებელი გადავა GAAFET-სა და 2-ნანომეტრიან ტექნოლოგიაზე. https://tinyurl.com/56ahp2kw Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.