Magdalena Posted October 20, 2022 Share Posted October 20, 2022 TSMC და Samsung აგრძელებენ კონკურენციას მოწინავე ტექნოპროცესების შემუშავებაში ლიდერობისთვის. Samsung Foundry-მ ამჟამად დაიწყო 3-ნანომეტრიან ტექნოლოგიაზე დაფუძნებული ჩიპების მიწოდება. რაც უფრო მცირეა ტექნოპროცესი მით უფრო მცირეა ტრანზისტორების ზომა და მეტია ტრანზისტორების რაოდენობა ჩიპზე, რაც ზრდის მის წარმადობას და ენერგოეფექტურობას. TSMC-ის მთავარი მომხმარებელი არის Apple. ამერიკულ კომპანიას ტაივანური კომპანიის შემოსავლის 25% მოაქვს. 2016 წელს Apple A10 Fusion ჩიპი დამზადდა TSMC-ის 16-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის გამოყენებით და შეიცავდა 3.3 მილიარდ ტრანზისტორს. ამ ჩიპზე მუშაობდა iPhone 7 და iPhone 7 Plus. წლევანდელ iPhone 14 Pro-სა და iPhone 14 Pro Max-ში წარმოდგენილია ახალი Apple A16 Bionic პროცესორი. იგი დამზადებულია TSMC-ის 5-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესით და შეიცავს დაახლოებით 16 მილიარდ ტრანზისტორს. Samsung Foundry უკვე ახორციელებს 3-ნანომეტრიანი ჩიპების მიწოდებას და წინ უსწრებს TSMC-ს. ტაივანური კომპანიისგან ასეთი ჩიპების გამოშვება მოსალოდნელი იყო სექტემბერში, მაგრამ მეოთხე კვარტალში გადაიტანეს. ჩიპების დიდი ნაწილი კვლავ Apple-სთვის გამოვა. TSMC 3 ტექნოპროცესი შესაძლოა გამოყენებული იყოს Apple M3 ჩიპისთვის. იგი უნდა გამოიყენონ მოწყობილობებში, რომელთა რელიზი მომავალი გაზაფხულისთვისაა დაგეგმილი. Apple შესაძლოა აღმოჩნდეს ერთადერთი კომპანია, რომელიც მიიღებს TSMC N3 ჩიპებს 2023 წელს. Samsung Foundry-მ ცოტა ხნის წინ წარადგინა ტექნოლოგიური გეგმები, რომლის თანახმად იგი აპირებს 2-ნანომეტრიანი ჩიპების წარმოების დაწყებას 2025 წელს, 1.4-ნანომეტრიანისას - 2027 წელს. ბაზრის მესამე მოთამაშეა Intel, რომელიც 20A ტექნოპროცესით წარმოების დაწყებას 2024 წელს აპირებს. ეს არის 2-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის ეკვივალენტი ახალი RibbonFET ტრანზისტორების გამოყენებით, რომლებიც ასევე ცნობილია, როგორც GateAllAround (GAA). Samsung უკვე იყენებს GAA-ს 3-ნანომეტრიან ტექნოპროცესში, TSMC კი 2-ნანომეტრიან ჩიპებში გამოიყენებს. GAA საშუალებას იძლევა მნიშვნელოვნად შეამციროს ძაბვის გაჟონვა და ამით შემცირდება ენერგიის ხარჯი. მოსალოდნელია, რომ GAA აამაღლებს წარმადობას 25%-ით ენერგომოხმარების 50%-ით შემცირების ფონზე. Intel RibbonFET Intel იყენებს კვების საპირისპირო მიწოდებას, ფუნქციას სახელად PowerVia. იგი ტრანზისტორებს საშუალებას აძლევს მიიღონ კვება სილიკონის ფირფიტის ერთი მხრიდან, მეორე მხარე კი გამოყენებული იქნება მონაცემთა მიწოდებისთვის. ეს იქნება ამგვარი სისტემის პირველი რეალიზაცია, რომელიც მოაგვარებს ტრანზისტორებში ფირფიტის წინა ნაწილის გავლით ენერგიის მიწოდების აუცილებლობას. მოსალოდნელია, რომ TSMC 3-ნანომეტრიან ტექნოპროცესს გამოიყენებს 3 წელი და ასევე სამი წელი - 2-ნანომეტრიანს. ეს ნიშნავს იმას, რომ სხვა ინოვაცია არ გამოვა 5 წელზე დიდი ხნის განმავლობაში. ამ ვითარებამ შესაძლოა Intel-სა და Samsung Foundry-ს საშუალება მისცეს TSMC-ს ჩამოართვას მსოფლიოში ჩიპების უმსხვილესი მწარმოებლის წოდება. ამჟამად TSMC-ზე მოდის ჩიპების მსოფლიო წარმოების 52.9%, Samsung-ზე - 17.3%. არსებობს პროგნოზი, რომლის თანახმად 2025 წელს ლიდერი Intel გახდება - წერს Phonearena. https://tinyurl.com/3fbnjbxz Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.