Magdalena Posted July 8, 2020 Share Posted July 8, 2020 Samsung-ის მკვლევარები ეძებენ გზებს - გასცდნენ ნახევრადგამტარებით წარმოებული ჩიპების წარმოების ლიმიტებს. ეს განპირობებულია იმით, რომ ტექნოლოგიური ნორმების მასშტაბის შემცირება ზღვარს უახლოვდება და პროცესორების გამოშვებისთვის ახალი მასალები იქნება საჭირო. მაგალითად, გამტარობის გაუმჯობესებისთვის გამოდგება გრაფენი, 2D-იზოლატორებთან დაკავშირებით კი პრობლემაა. საბედნიეროდ, Samsung-მა მიაგნო ახალ 2D-მასალას იზოლირების კარგი თვისებებით. ბორის ნიტრიდის "თეთრი გრაფენის" სტრუქტურა Samsung-ის უმაღლესი ტექნოლოგიების ინსტიტუტის (SAIT) მკვლევარებმა ულსანის მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების ეროვნულ ინსტიტუტსა (UNIST) და კემბრიჯის უნივერსიტეტთან ერთად მიაკვლიეს აღმოჩენას, რომელიც გვთავაზობს ჩიპების წარმოებას იმაზე უფრო მცირე ტექნოლოგიური სტანდარტებით, ვიდრე უზრუნველყოფს ნახევრადგამტარი მასალები. საუბარი ეხება წარმოებაში 2D-მასალების გამოყენებას, რომელთა სისქე მხოლოდ ერთ ატომს შეადგენს. ერთატომიანი მასალის მაგალითია გრაფენი, თუმცა მისით არ მთავრდება „ბრტყელი“ მასალების ჩამონათვალი. სხვა მკვლევარების მსგავსად Samsung-ის სპეციალისტებმა დააპროექტეს ტრანზისტორები გრაფენის ბაზაზე. ელექტრონების მოძრაობის მაღალი დონე, გაზრდილი სამუშაო ძაბვა, კარგი მასშტაბირება და მცირე ზომა - ესენია გრაფენზე დამყარებული ტრანზისტორების უპირატესობათა ნაწილი. თუმცა, ძაბვის გაჟონვის თავიდან ასაცილებლად და ჩიპებში გამტარ სქემებზე გავლენის შესამცირებლად აუცილებელია მახასიათებლებით მსგავსი 2D-მასალები - ისეთივე თხელი და მასშტაბირებადი, როგორიცაა გრაფენი, თუმცა ელექტრონების გამტარობის გარეშე. SAIT-ის მეცნიერებმა მიაკვლიეს მასალას - ეს არის ბორის ამორფული ნიტრიდი (a-BN). მას ასევე უწოდებენ „თეთრ გრაფენს“ ექვსკუთხა კრისტალური სტრუქტურის გამო ისევე, როგორც გრაფენის შემთხვევაში. Samsung-მა შეძლო კრისტალური ბორის ნიტრიდის გარდაქმნა ამ ნივთიერების ამორფულ ფორმად. ამორფული სტუქტურა, როგორც ცნობილია, ეს არის მოლეკულების უწესრიგო წყობა, რაც ხელს უშლის ელექტრონების გავრცელებას თავიანთ არეალში. მარტივად რომ ითქვას, Samsung-მა სუპერგამტარი საშუალებისგან გამოიყვანა სუპერიზოლირებადი სივრცე. Samsung-ის თქმით, ბორის ამორფულ ნიტრიდს ულტრადაბალი დიელექტრიკული შეღწევადობა აქვს ძლიერი ელექტრო და მექანიკური თვისებებით და შეიძლება გამოყენებულ იქნას, როგორც საიზოლაციო მასალა ელექტრული ხმაურის მინიმიზაციისთვის. უფრო მეტიც, ახალი მასალის გამოყენება შესაძლებელია ტექნოპროცესებში 400 °C-ზე ნაკლებ ტემპერატურაზე: ეს პირობა აუცილებელია იმისთვის, რომ გრაფენის ტრანზისტორები არ დაიწვას დამუშავების პროცესში. Samsung-ის სუპერიზოლატორი ბორის ამორფული ნიტრიდისგან კომპანიის წარმომადგენლები იმედოვნებენ, რომ ბორის ამორფული ნიტრიდი ფართოდ იქნება გამოყენებული ნახევრადგამტარ პროდუქტებში, როგორებიცაა DRAM და NAND გადაწყვეტილებები, ასევე მომდევნო თაობის უმაღლესი წარმადობის სერვერებისთვის განკუთვნილ მოწყობილობებში. https://3dnews.ru/1015069 Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.