Leaderboard

DDR ზოგადად DDR ტიპის მეხსიერება აგებულია SDRAM ტექნოლოგიაზე (Synchronous Dynamic Random Access Memory), რაც ნიშნავს, რომ ის გარკვეული ტაქტური სიხშირით მუშაობს. თვითონ "DDR" ნიშნავს "Double Data Rate", ანუ ამ მეხსიერებებს ერთ ტაქტურ ციკლში 2 მონაცემის გატარება შეუძლიათ (იხ. სურათი). ამ თვისების გამო მეხსიერების მოდულებზე ეწერება იმაზე 2-ჯერ მეტი ტაქტური სიხშირე, ვიდრე მოდულს რეალურად აქვს, ანუ მაგალითად DDR2-800MHz რეალურად 400MHz-ზე მუშაობს. გარდა ამისა უნდა ვიცოდეთ ისიც, რომ კომპიუტერში ჩადგმის შემდეგ მოდულმა შეიძლება ავტომატურად არ იმუშაოს იმ სიხშირეზე, რა სიხშირეზეცაა გათვლილი. ეს იმიტომ ხდება, რომ მეხსიერების კონტროლერი, რომელიც ტაქტურ სიხშირეზეა პასუხისმგებელი, მოდულში კიარა, დედაპლატაზე, ან CPU-შია. ახლა რაც შეეხება სახელწოდებებს...სახელწოდება DDRx-yyyy (სადაც x არის ტაქტის გენერაციის ტექნოლოგია, ხოლო yyyy - DDR-ის სიხშირე) ეძლევა მხოლოდ მეხსიერების ჩიპებს. რეალურად კი მოდული რამდენიმე ჩიპისგან შედგება, ამიტომ მოდულებს აქვთ სახელწოდება PCx-zzzz, სადაც x არის ტაქტის გენერაციის ტექნოლოგია, ხოლო zzzz - მაქსიმალური თეორიული გამტარობა (maximum bandtwidth). ეს არის რიცხვი, რომელიც გვიჩვენებს, თუ რამდენი ბაიტი ინფორმაციის გატარება შეუძლია მოდულს 1 წამში. ის მარტივად გამოითვლება მოდულის სიხშირის 8-ზე გამრავლებით. ანუ მაგალითად DDR2-800-ის მაქს. თეორ. გამტარობა არის 6400MB/s (800x8). ძალიან მნიშვნელოვანია გავიაზროთ, რომ ეს მხოლოდდამხოლოდ თეორიული რიცხვებია, რეალურად გამტარობა უფრო ნაკლებია. სიჩქარეები DDR, DDR2 და DDR3 მოდულებს შორის სიჩქარეების სხვაობის უკეთ აღსაქმელად ქვემოთ მომყავს პატარა ცხრილი, სადაც ნაჩვენებია ზოგიერთი მოდულის სიხშირე, მაქს. თეორ. გამტარობა და სახელწოდება. ვოლტაჟი ცხადია მოდულები გარკვეულ ძაბვაზე მუშაობენ. DDR მოდულებისთვის სტანდარტული ძაბვა 2.5 ვოლტია, DDR2 - 1.8v, ხოლო DDR3 - 1.6v. რათქმაუნდა ეს ყველა მოდულს არ ეხება და უბრალოდ საშუალო რიცხვებია მოყვანილი, სამომავლოდ დაგეგმილია 1.35V-ზე მომუშავე მოდულების წარმოება, ოვერქლოქინგისთვის კი პირიქით - მეტი ძაბვის მიცემაა საჭირო და ა.შ., მაგრამ ძირითად აზრში გაერკვიეთ - DDR3 ნაკლებ ძაბვაზე მუშაობს , ვიდრე DDR2 და DDR2 DDR-ზე ნაკლებ ძაბვაზე მუშაობს. ლატენტურობა ლატენტურობა, ანუ "დაგვიანება" არის დრო, რომელიც გადის მონაცემთა მოთხოვნიდან მონაცემთა მიღებამდე. იგი ასევე ცნობილია სახელწოდებით CAS (Column Address Strobe) Latency, ან უბრალოდ CL. ლატენტურობის რიცხვი წარმოადგენს ციკლის რაოდენობას. ანუ მაგალითად მოდულისთვის, რომელსაც აქვს CL3, მეხსიერების მოთხოვნიდან მის მიღებამდე გადის 3 ტაქტური ციკლი. CL5-იან მოდულს უფრო მეტხანს "მოუწევს" ლოდინი. ასე რომ რაც ნაკლებია ლატენტურობა, მით უკეთესია მოდული. თვალსაჩინოებისთვის იხ. სურათი განსხვავებული ტაქტური სიხშირის მქონე მოდულების შედარებისას დაგვჭირდება მცირე გამოთვლა. ყოველ ტაქტურ ციკლს თავისი შესრულების დრო აქვს, რომელიც ns-ით იზომება (ns-ნანოწამი, 0.000,000,001 წამი). მაგალითისთვის DDR2-800 მეხსიერების ციკლი 2.5ns-ს ტოლია. ასე რომ თუ ასეთ მეხსიერებას აქვს CL5, მაშინ რეალური რეაგირების დრო ბრძანების მიღებიდან შესრულებამდე უდრის: 2.5x5=12.5ns. მგონი მარტივია არა? მეხსიერების ტაიმინგების აღნიშვნაში ლატენტურობა პირველი რიცხვია. მაგალითად 5-5-5-15 ტაიმინგისთვის ლატენტურობა არის 5. იხ. სურათი prefetch DRAM მეხსიერება მონაცემებს მიკროკონდენსატორებში ინახავს. DDR მეხსიერება ამ მონაცემთა 2 ბიტს გზავნის ერთი ციკლის მანძილზე მეხსიერების I/O ბუფერში. ამას 2-ბიტიანი "prefetch" ეწიდება. DDR2 მეხსიერებისთვის ეს რიცხვი 4-მდე იზრდება, ხოლო DDR3-ისთვის - 8 ბიტამდე. სწორედ ამის წყალობითაა შესაძლებელი DDR2-ს ქონდეს DDR-თან შედარებით 2-ჯერ მეტი ტაქტური სიხშირე, ისევე, როგორც DDR3-ს - DDR2-თან შედარებით. უფრო უკეთ რომ გავიგოთ, რა ხდება, მოვიყვანოთ მაგალითი (იხ. სურათი) ავიღოთ ერთი DDR-400, ერთი DDR2-400 და ერთი DDR3-400 მეხსიერება (DDR3-400 არ არსებობს, მაგრამ ჩავთვალოთ, რომ არსებობს). სამივე ჩიპი 200MHz-ზე მუშაობისას ერთ ციკლში 2 ინფორმაციის ერთეულს გადაამუშავებს (როგორც ადრე ვთქვით) და გზავნის "გარეთ", ამიტომ სიხშირე 400MHz-ად ჩაითვლება, მაგრამ "შიდა" ოპერაციისთვის DDR მოდული ერთ ციკლში გადაამუშავებს და გადააადგილებს 2 ბიტს მეხსიერებასა და memory I/O ბუფერს შორის. ამიტომ შიდა ტაქტური სიხშირე 400MHz-ს რომ დაემთხვეს 200MHz-ზე უნდა იმუშაოს (200MHz x 2=400). DDR2 მეხსიერებას 4 ბიტი აქვს, ამიტომ შეუძლია ნაკლებ სიხშირეზე იმუშაოს, რომ იმავე წარმადობას მიაღწიოს, რასაც DDR1 აღწევს (100MHz x 4=400). ანალოგიურად, DDR3 მეხსიერებას კიდევ 2-ჯერ ნაკლები სიხშირე ჭირდება იმავე წარმადობისთვის (50MHz x8=400MHz). ანუ DDR-400, DDR2-800 და DDR3-1600 მეხსიერებებს შიდა ტაქტური სიხშირე ერთი და იგივე აქვთ, მაგრამ წარმადობაში სხვაობა რამხელაა იმედია ხვდებით Resistive Termination ეს მახასიათებელი წინაღობით ტერმინაციად გადმოვთარგმნე. იმედია სწორია. DDR მეხსიერებას RT დედაპლატაზე ჰქონდათ განთავსებული, DDR2-DDR3 მეხსიერებას კი თავად ჩიპში აქვს და მას ODT ეწოდება (On-Die Termination). რათქმაუნდა ეს გაუმჯობესების მიზნით მოხდა - ODT საშუალებას იძლევა სიგნალი უფრო მკაფიო და სუფთა იყოს, ვიდრე დედაპლატაზე განთავსებული RT-სი. უფრო მკაფიო სიგნალი საშუალებას იძლევა არამარტო ხარისხიანად გადაეეცს ინფორმაცია, არამედ გაიზარდოს ტაქტური სიხშირეც. გარეგნული მხარე დასასრულს მოვიყვან DDR, DDR2 და DDR3 მეხსიერების მოდულებს შორის გარეგნულ განსხვავებებს...DDR მოდულს აქვს 184-პინიანი კონექტორი, DDR2 და DDR3-ს - 240-პინიანი კონექტორი, მაგრამ ისინი მაინც არ აგერევათ ერთმანეთში და DDR2-ის სლოტში DDR3 მოდულს ვერ ჩადგამთ. DDR და DDR2 მოდულების ვიზუალური შედარება DDR2 და DDR3 მოდულების შედარება გარდა ამისა DDR მოდული თითქმის ყოველთვის TSOP (Thin Small-Outline Package) ჩიპებზეა, აი ასეთზე: ხოლო DDR2-DDR3 მოდულები BGA (Ball Grid Array) ჩიპებზეა ტაიმინგები მეხსიერების მოდულები კლასიფიცირდება მათი ტაქტური სიხშირის მიხედვით, მაგრამ სიხშირეზე არანაკლებ მნიშვნელოვანია მოდულის ტაიმინგი. ტაიმინგი 4 რიცხვისგან შედგება, მაგალითად 5-5-5-15 (შეიძლება ბოლოს დართული ქონდეს მეხუთე მაჩვენებელი, ამაზე მოგვიანებით). ის მითითებულია მეხსიერების მოდულზე და რაც ნაკლებია რიცხვები, მით უკეთესია მოდული. ტაიმინგის წყალობით ერთსადაიმავე სიხშირეზე მომუშავე 2 მეხსიერების მოდულს შეუძლია განსხვავებული წარმადობა აჩვენოს. მაგრამ სანამ ამ საკითხს მივადგებოდეთ, გავარკვიოთ, მაინც რა არის ტაიმინგი? სურათზე: G.Skill F2-8500CL5D-4GBPK მეხსიერების მოდული. მესამე რიგში მითითებულია ტაიმინგი "CL5-5-5-15". ტაიმინგი არის დრო, რომელიც ეხარჯება მეხსიერების მოდულს სხვადასხვა შიდა ოპერაციის შესრულებაში. მაგალითისთვის ავიღოთ ტაიმინგი 5-5-5-15-T1. რიცხვები შემდეგს აღნიშნავს: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. გავშიფროთ თითოეული მათგანი: 1. CL - CAS ლატენტურობა ("დაგვიანება"). არის დრო, რომელიც გადის პროცესორის მიერ მონაცემთა მოთხოვნიდან მონაცემთა მიღებამდე. ლატენტურობის რიცხვი წარმოადგენს ციკლის რაოდენობას. ანუ მაგალითად მოდულისთვის, რომელსაც აქვს CL3, მეხსიერების მოთხოვნიდან მის მიღებამდე გადის 3 ტაქტური ციკლი. CL5-იან მოდულს უფრო მეტხანს "მოუწევს" ლოდინი. ასე რომ რაც ნაკლებია ლატენტურობა, მით უკეთესია მოდული. თვალსაჩინოებისთვის იხ. სურათი განსხვავებული ტაქტური სიხშირის მქონე მოდულების შედარებისას დაგვჭირდება მცირე გამოთვლა. ყოველ ტაქტურ ციკლს თავისი შესრულების დრო აქვს, რომელიც ns-ით იზომება (ns-ნანოწამი, 0.000,000,001 წამი). მაგალითისთვის DDR2-800 მეხსიერების ციკლი 2.5ns-ს ტოლია. ასე რომ თუ ასეთ მეხსიერებას აქვს CL5, მაშინ რეალური რეაგირების დრო ბრძანების მიღებიდან შესრულებამდე უდრის: 2.5x5=12.5ns. საკმაოდ მარტივია. 2. tRCD - RAS და CAS დაყოვნება. ამ ფუნქციაში გასარკვევად მცირედი ექსკურსია საჭირო...მეხსიერების თითოეული ჩიპი მატრიცისგან შედგება, რომელზეც მონაცემთა შემნახველი პატარა კონდენსატორების რიგებია განლაგებული. კონდენსატორის მონაცემის წასაკითხად საჭიროა მისი გააქტიურება, გააქტიურებისთვის კი საჭიროა იმ გრძივი და განივი რიგების აქტივაცია, რომელთა გადაკვეთაზეც მდებარეობს კონკრეტული ინფორმაციის შემცველი კონდენსატორი. გრძივი და განივი რიგების აქტივაციას ეწოდება "RAS" (Row Address Strobe) და "CAS" (Column Address Strobe). tRCD პარამეტრი სწორედ RAS-ის გააქტიურებიდან CAS-ის გააქტიურებამდე დროს ნიშნავს და რაც ნაკლებია ეს დრო, მით უფრო სწრაფად მუშაობს მეხსიერება. ქვედა სურათზე ნაჩვენებია მეხსიერება, რომლის tRCD არის 3-ის ტოლი. 3. tRP - RAS გადანაცვლების დაყოვნება. მას შემდეგ, რაც კონკრეტული კონდენსატორიდან ინფორმაციას წაიკითხავს, მეხსიერება ხურავს მის რიგს (RAS) და ხსნის სხვა რიგს, რათა შესაძლებელი იყოს სხვა კონდენსატორიდან ინფორმაციის წაკითხვა. ამ ოპერაციას "Precharge" ეწოდება. ერთი რიგის დახურვიდან სხვა რიგის გახსნამდე გასულ დროს კი ეწოდება tRP. ამ შემთხვევაშიც, რაც ნაკლებია რიცხვი, მით უკეთესია. 4. tRAS - აქტიურიდან გადანაცვლების დაყოვნება, ანუ დრო, რომელიც საჭიროა მეხსიერების მიერ ერთი მოქმედების ციკლის დასრულებიდან მეორე მოქმედების ციკლის დაწყებამდე. 5. CMD: ბრძანების სიხშირე. დრო, რომელიც საჭიროა მეხსიერების ჩიპის გასააქტიურებლად და მისთვის პირველი ბრძანების გასაგზავნად. ამ მონაცემს ხშირად არ უთითებენ. ის შეიძლება იყოს T1 ან T2 (1 ან 2 ტაქტური ციკლი შესაბამისად). დაყენება გვაქვს 2 გზა: გამოვიყენოთ სტანდარტული ტაიმინგები, რომელსაც ავტომატურად დააყენებს BIOS-ი, ან $#^#(|ადოთ ხელით დავაყენოთ BIOS-ში შემცირებული ტაიმინგები, რათა სისტემამ უფრო სწრაფად იმუშაოს. რათქმაუნდა ამის გაკეთება ყველა დედაპლატაზე არაა შესაძლებელი, ამიტომ მიაქციეთ ხოლმე ყურადღება რას ყიდულობთ . ტაიმინგების დაყენება BIOS-ში გარდა ამისა მნიშვნელოვანია ისიც, რომ როდესაც სისტემას "ვარაზგონებთ" შეიძლება ტაიმინგების გაზრდა მოგვიხდეს (რომ სისტემამ მუშაობის სტაბილურობა შეინარჩუნოს). აქ ხდება საინტერესო რამ: ოვერქლოქისას მოდულის ტაქტური სიხშირე იზრდება, ანუ წესით მან უფრო სწრაფად უნდა იმუშაოს, მაგრამ გაზრდილი ტაიმინგების (განსაკუთრებით ლატენტურობის) გამო მეხსიერება შეიძლება პირიქით - შენელდეს. შეიძლება ეს პარადოქსულად მოგეჩვენოთ, მაგრამ როცა გეცოდინებათ რაშია საქმე, უკვე აღარ გაგიკვირდებათ . ამიტომ ოვერქლოქერებისთვის განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია არამხოლოდ ის, რომ მეხსიერების ტაქტური სიხშირე გაიზარდოს, არამედ ისიც, რომ ტაიმინგები შემცირდეს (ან მინიმუმ, უცვლელი დარჩეს და არ გაიზარდოს). ახლა კი კიდევ უფრო "ჩავუსხდეთ" ტაიმინგის თითოეულ პარამეტრს ანუ ყველაფერს თუ შევკრებთ გამოვა, რომ მეხსიერების მიერ ბრძანების მიღებიდან მის შესრულებამდე გადის tRP + tRCD + CL დრო. დრო აღინიშნება ტაქტურ სიხშირის ციკლებში, ამასთან, თითოეულ სიხშირეს თავისი შესრულების დრო აქვს. ავიღოთ მარტივი მაგალითი. გვაქვს DDR2-800 მეხსიერების მოდული, რომლის ტაიმინგებია 5-5-5-15, ხოლო ერთი ციკლის შესრულების დრო 800MHz სიხშირეზე 2.5ns-ს ტოლია და გვაინტერესებს რამდენი დრო გავა ბრძანების გაცემიდან მის შესრულებამდე. ფორმულაში ჩავსვამთ რიცხვებს: tRP + tRCD + CL = 5 + 5 + 5. ანუ 15 ციკლი. 1 ციკლი = 2.5ns. 15 ციკლი = 15 x 2.5 = 37.5 ანუ მოცემული მოდულისთვის ბრძანების მიღებიდან მის შესრულებამდე გადის 37.5 ნანოწამი, ხოლო ახალი ბრძანების შესრულებამდე გადის კიდევ 37.5 ნანოწამი (იმიტომ, რომ მეოთხე პარამეტრი, tRAS = 15). ახლა კი ვნახოთ რას შემოგვთავაზებს მაგალითად 3-3-3-10 ტაიმინგის მქონე მოდული... tRP + tRCD + CL = 3 + 3 + 3 = 9 ციკლს. 9 x 2.5ns = 22.5 ნანოწამს. ხომ ნათლად ჩანს, რომ რაც ნაკლებია ტაიმინგი, მით სწრაფია მეხსიერება? ხედავთ რამხელა მნიშვნელობა ქონია ტაიმინგებს ოპ. მეხსიერებისთვის და ამასთან რა მარტივი ყოფილა ყველაფერი? თუკი ვინმეს გეყოთ ნერვები და ბოლომდე წაიკითხეთ, უღრმესი მადლობა :rolleyes:

მოკლედ რა passive PFC არ უნდა იყიდო კვება უსინდისო ვიყო 100 ლარში ნორმალური არაფერი მოგივა FSP-ს ბრენდის კვების ბლოკს თუ ნახავ სადმე იაფად ეგენი იშოვება ან ნახმარი რამე ერთი თავით მაღლა დგას 460 5770-ზე

ნიკაკიხ ხრენოვიხ პანატია. მკიდია მაგარი არაფერს არ შვება ეგ რეიტინგი მაინც კთილი გააჩნია საკითხს

რა სისტემაა მიას დდმვტყ მინდაააააააააააააააა