Search the Community

მოგესალმებით ამ გასაოცარი news-თ ცოტა ხნის წინ IBM-მა მოახდინა ახალი ტიპის მეხსიერების დემონსტრაცია, რომელიც მათი თქმით ჩაანაცვლებს NAND flash ტიპის მეხსიერებას. ამ პროექტის სახელწოდებაა Theseus Project რომელიც არის პირველი მცდელობა (ერთ-ერთ ბერძნულ უნივერსიტეტთან თანამშრომლობით) გაერთიანებულ იქნას ფაზის ცვალებადი მეხსიერება არსებულ NAND და DRAM მეხსიერებებთან ერთიდაიმავე კონტროლერზე. შედეგი კი იქნება ახალი ჰიბრიდული მეხსიერება რომელიც არსებულ PCIe უსწრაფეს SSD-ებზე 12-275-ჯერ სწრაფია ახლა კი ვეცდები აგიხსნათ მისი მუშაობის პრინციპი. ეს ტექნოლოგია ეფუძნება Chalcogenide glass ნივთიერებას რომელიც შედგება ერთი ან რამდენიმე chalcogenide anion (არ ითვლება ჟანგბადი) და მინიმუმ ერთი ელექტროდადებითი ელემენტისგან. მისი სტრუქტურა ისევე როგორს glass (მინის) არის ამორფული და არა კრისტალური, თუმცა ტემპერატურის აწევით მას შეუძლია ამ ფაზიდან კრისტალურ მდგომარეობაში გადასვლა, ხოლო კვლავ გაციების შემთხვევაშ უბრუნდება ამორფულ მდგომარეობას. მისი ამორფული მდგომარეობა (მაშინ როცა მას გააჩნია ძალიან დიდი წინაღობა) განსაზღვრულია ბინარული 0-თ ხოლო კრისტალური (როცა წინაღობა გაცილებით ნაკლებია) 1-თ. ეს ნივთიერება ძალიან სწრაფად იცვლის მდგომარეობებს. intel-სა და micron-ს გამოკვლევებმა აჩვენა რომ მის ერთ უჯრედში cell შესაძლოა ინფორმაციის 2 bit-ს განთავსება. ამ ტიპის მეხსიერებას გააჩნია ბევრად უფრო მცირე დაყოვნება ვიდრე არსებულ NAND ტექნოლოგიას, ასევე მისი read/write სიჩქარე თეორიულად ბევრად აჭარბებს მას. მისი კიდევ ერთი უპირატეობა კი ისაა რომ შეიძლება 1 000 000 -იანი ჩაწერა/ამოკითხვის ციკლის განხორიელება მაშინ როცა უმაღლესი დონის SLC NAND ტექნოლოგიის 30 000-ს ხოლო შედარებით უხარისხო TLC NAND ტექნოლოგიის 1000-ს უდრის. ეს კი IBM-ს ხედვით თუ სად შეიძლება იქნეს გამოყენებული ეს უნიკალური ტექნოლოგია PCM (Prototype Storage Solution) მისი გამოყენება cashe-ადაც კია შესაძლებელი ან როგორც NAND და DRAM ტიპის მეხსიერების მაკავშირებელი როგორც დღეს NAND ტექნოლოგიას იყენებენ DRAM და HDD-ებს შორის (ჰიბრიდული HDD-ები გაიხსენეთ) დღეს არსებული Project Theseus წარმოადგენს კონტროლერს 2.8 GB PCM მეხსიერებით რომელიც შედგება 36 ცალი 128Mbit CELL-სგან თითო ბარათზე, სულ 5 ბარათით. IBM-ს თქმით ეს არის PSS (Prototype Storage Solution). ამ გრაფიკზე აშკარად ჩანს სხვადასხვა ტიპის მეხსიერებების მუშაობის სისწრაფე MLC1 14,000 microseconds MLC2 20,000 microseconds PSS 2,000 microseconds TLC NAND 120,000 microseconds. არსებული PCM მეხსიერება აგებულია 90 nm-იანი ტექნოლოგიით და საკმაოდ დაბალი ტევადობით. არსებული NAND flash ხელმისაწვდომია 512 Gbit ზომებში ხოლო PCM 128 Mbit ზომებში. იმედი ვიქონიოთ რომ ეს ტექნოლოგია დაიხვეწება და მალე მოხვდება მასზე დაფუძნებული მეხსიერების ბარათები ჩვენს სისტემურ ბლოკებში მადლობთ ყურადღებისთვის