Samsung-მა განაცხადა, რომ დაიწყო 256 გბ SD Express microSD მეხსიერების ბარათების ნიმუშების მიწოდება, რომლებსაც აქვთ ძალიან მაღალი, 800 მბ/წმ-მდე წაკითხვის სიჩქარე. გარდა ამისა, კომპანიამ დააანონსა UHS-1 ინტერფეისის მქონე 1 ტბ-მდე microSD მეხსიერების ბარათების მასობრივი წარმოების დაწყება.
ფოტოს წყარო: Samsung
Samsung აღნიშნავს, რომ UHS-1 ინტერფეისის მქონე კლასიკური microSD მეხსიერების ბარათები უზრუნველყოფენ წაკითხვის საშუალო 104 მბ/წმ სიჩქარეს. SD Express ბარათების შემთხვევაში წაკითხვის თანმიმდევრული სიჩქარე გაიზარდა 985 მბ/წმ-მდე, მაგრამ ასეთი გადაწყვეტილებები კომერციული პროდუქტების სახით ბოლო დრომდე არ იყო ხელმისაწვდომი.
PCIe 3.0 x1 მხარდაჭერის წყალობით Samsung SD Express microSD მეხსიერების უახლეს ბარათებს შეუძლიათ კონკურენცია გაუწიონ SATA SSD-ებს. მათი თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარე აღწევს 800 მბ/წმ-ს, რაც 1.4-ჯერ უფრო სწრაფია ჩვეულებრივ SATA III SSD-ებთან (560 მბ/წმ-მდე) და ოთხჯერ უფრო სწრაფი - UHS-1 ინტერფეისის მქონე მეხსიერების ბარათებთან (200 მბ-მდე) შედარებით. Samsung Dynamic Thermal Guard ტექნოლოგია, რომელიც გამოიყენება Samsung SD Express microSD მეხსიერების უახლეს ბარათებში, პასუხისმგებელია მათ წარმადობასა და საიმედოობაზე და ოპტიმიზაციას უწევს სამუშაო ტემპერატურას ხანგრძლივი დატვირთვის დროს.
1 ტბ Samsung SD microSD UHS-1 მეხსიერების ბარათები, რომლებიც მასობრივ წარმოებაში შევიდა, შედგება მე-8 თაობის V-NAND მეხსიერების რვა 1 ტბ ფენისგან. წარმოების დროს ამ მეხსიერების ბარათებს უტარდებათ გამძლეობის მკაცრი ტესტირება და ენიჭებათ ექვსი დამცავი ფუნქცია: წყლის წინააღმდეგობა, უკიდურესი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, ვარდნის წინააღმდეგობა, ცვეთის წინააღმდეგობა, რენტგენის გამოსხივების წინააღმდეგობა და მაგნიტური დაცვა.
Samsung-ის უახლესი 256 გბ SD Express microSD მეხსიერების ბარათები 800 მბ/წმ-მდე წაკითხვის სიჩქარით ხელმისაწვდომი გახდება მიმდინარე წლის ბოლოს. Samsung SD microSD UHS-1 1 ტბ მეხსიერების ბარათების გამოსვლა კი მოსალოდნელია წლის მესამე კვარტალში.
http://tinyurl.com/bdryw7uf