Intel დარწმუნებულია, რომ მისი ანგსტრემ-ტექნოპროცესი 18A TSMC-ის 2-ნანომეტრიან N2-ზე უკეთესი იქნება და მასობრივ წარმოებაში უფრო ადრე შევა

[Magdalena]

Intel ოთხი წლის განმავლობაში ხუთი მოწინავე ტექნოლოგიის ათვისების გზაზე დგას და ამჟამად მზადაა ანგსტრემ ტექნოპროცესები 20A (2-ნმ) და 18A (1.8-ნმ) კონკურენტ TSMC-სა და Samsung-ზე ადრე წარადგინოს. კომპანიის გენერალური დირექტორი Pat Gelsinger თვლის, რომ Intel 18A, რომლის გამოყენება მასობრივ წარმობაში 2024 წლის მეორე ნახევარში იგეგმება, „ოდნავ უსწრებს“ TSMC N2 (2-ნმ) ტექნოლოგიას, რომლის გამოსვლა 2025 წლის მეორე ნახევარშია მოსალოდნელი. 

 

Intel 20А და 18А ტექნოპროცესებში შევიდა ორი ძირითადი ინოვაცია: ტრანზისტორები წრიული ჩამკეტით (GAA) და ნახევრადგამტარი კრისტალისთვის მისი უკანა მხრიდან ძაბვის მიწოდების ტექნოლოგია PowerVia. მოსალოდნელია, რომ Intel 20A მოემსახურება ამ ინოვაციების შესწავლას, ხოლო Intel 18A გახდება „ტექნოლოგიური ტრამპლინი“, რომლის მეშვეობით Intel იმედოვნებს, რომ ლიდერობას აღიდგენს ნახევრადგამტარი კომპონენტების წარმოებაში. Intel 18A ტექნოპროცესის დანერგვას თავის ქარხნებში 2024 წლის პირველ კვარტალში გეგმავს, ხოლო მასზე დამყარებული პირველი პროდუქტები ხელმისაწვდომი 2024 წლის მეორე ნახევარში გახდება. 

 

ფოტოს წყარო: Intel 

TSMC 2-ნანომეტრიანი N2 ტექნოპროცესის მიხედვით მასობრივი წარმოების დაწყებას 2025 წლის მეორე ნახევრიდან გეგმავს. მიუხედავად იმისა, რომ მის ტექნოპროცესში GAA ტრანზისტორებია გამოყენებული, კრისტალზე კვების მიწოდების სქემა Intel-ისგან განსხვავებით ტრადიციული დარჩება. ეს ხელს არ უშლის TSMC-ს ამტკიცოს, რომ მისი გაუმჯობესებული ტექნოლოგია N3P, რომელიც 2024 წელს გამოჩნდება, შეძლებს Intel 18A-ს მსგავსი სიმძლავრის, წარმადობის და ტრანზისტორების სიმჭიდროვის უზრუნველყოფას, ხოლო N2 უკეთესი იქნება როგორც N3P-ზე, ისე Intel 18A-ზე. 

 

გელსინჯერი არ ეთანხმება ამას, იგი დარწმუნებულია, რომ Intel 18A მნიშვნელოვნად გადააჭარბებს TSMC N2-ს წარმადობით და ენერგოეფექტურობით. მან ასევე განაცხადა, რომ N2-ის დანერგვა TSMC-ს უფრო ძვირი დაუჯდება, რაც Intel-ის ტექნოპროცესებს საგრძნობ კონკურენტულ უპირატესობას მიანიჭებს. 

http://tinyurl.com/mrhpukh6