Samsung-მა გაასაჯაროვა დეტალები 1.4-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის შესახებ - კომპანია გაიმეორებს Intel-ის ტექნოლოგიას

[Magdalena]

Samsung-ის ჩიპების საკონტრაქტო წარმოების განყოფილების ვიცე-პრეზიდენტმა Jeong Gi-Tae-მ გამოცემა The Elec-თან ინტერვიუში განაცხადა, რომ სამომავლოდ SF1.4 (1.4 ნმ) ტექნოპროცესში ტრანზისტორებში არხების რაოდენობა სამიდან ოთხამდე გაიზრდება, რაც უზრუნველყოფს წარმადობისა და ენერგოეფექტურობის საგრძნობ გაუმჯობესებას. ეს მოხდება Intel-ის მიერ ანალოგიური ტრანზისტორების აწყობიდან სამი წლის შემდეგ, რაც Samsung-ს აიძულებს კონკურენტს დაეწიოს. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

კომპანია Samsung-მა პირველმა დაიწყო ჩამკეტის მქონე ტრანზისტორების გამოშვება, რომლებიც მთლიანად გარს აკრავს ტრანზისტორების არხებს (SF3E). ეს ტექნოლოგია დაინერგა ერთ წელზე მეტი ხნის წინ კრიპტო მაინერებისთვის განკუთვნილ ჩიპებში. ახალ ტექნოპროცესში ტრანზისტორების არხები წარმოადგენენ ერთმანეთზე განთავსებულ თხელ ნანოფურცლებს. Samsung-ის ტრანზისტორებში სამი ასეთი არხია, რომლებიც ყველა მხრიდან გარშემორტყმულია ჩამკეტით და ამიტომ მათი გავლით ძაბვა ზუსტი კონტროლით, მინიმალური დანაკარგით გადის. 

 

Samsung-ის ახალი ტექნოპროცესების დანერგვის გეგმები 

კომპანია Intel არხ-მატარებლების მქონე პირველი ტრანზისტორების გამოშვებას დაიწყებს 2024 წელს 2-ნანომეტრიან RibbonFET Gate-All-Around (GAA) ტექნოპროცესის გამოყენებით. თავდაპირველად მათ ექნება თითოეულ არხზე ოთხი ნანოფურცელი, რაც იმას ნიშნავს, რომ Intel-ის GateGAA ტრანზისტორები იქნება უფრო მაღალი წარმადობის Samsung-ის ანალოგებთან შედარებით, შეძლებენ უფრო დიდი ძაბვის გატარებას და იქნებიან უფრო ენერგოეფექტური სამხრეთკორეული კონკურენტის ტრანზისტორებთან შედარებით. შემუშავების პროცესი გაგრძელდება დაახლოებით სამი წელი, ჯერჯერობით Samsung არ დაიწყებს ჩიპების გამოშვებას SF1.4 ტექნოპროცესით, რაც 2027 წლისთვისაა მოსალოდნელი. როგორც ცნობილია, ეს ჩიპები იქნება „ოთხფურცლიანი“ - ექნებათ ოთხი არხი ამჟამინდელი სამის ნაცვლად. 

 

Intel-ის მომავალი 2-ნანომეტრიანი ტრანზისტორების არქიტექტურა ნანოფურცლების არხებით, მთლიანად გარშემორტყმული ჩამკეტით. ფოტოს წყარო: Intel 

სხვა საქმეა, მართლა ჩამორჩენილი იქნება თუ არა Samsung Intel-თან შედარებით ტექნოლოგიური თვალსაზრისით. იმ დროისთვის სამხრეთკორეულ კომპანიას უკვე ექნება GAA-ტრანზისტორების მასობრივი გამოშვების ხუთწლიანი გამოცდილება, Intel კი ახალბედა იქნება. ამგვარი ტრანზისტორების წარმოება სავარაუდოდ რთულია, რადგან Samsung ამ ტექნოპროცესს მეტისმეტად შერჩევით იყენებს. ნებისმიერ შემთხვევაში ტრანზისტორების ახალ არქიტექტურაზე გადასვლა მნიშვნელოვანი გარღვევა იქნება ნახევრადგამტარი ინდუსტრიისთვის და კომპანიებს რამდენიმე წლის განმავლობაში საშუალებას მისცემს გადალახონ ბარიერი, რომლის მიღმაც ტრადიციული ნახევრადგამტარი წარმოება აღარ იქნება პროგრესის სათავე. 

https://tinyurl.com/ycck57na