Jump to content

Recommended Posts

Posted

ფორმალურად Samsung Electronics არა მხოლოდ უსწრებდა TSMC-ს 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის დანერგვის თვალსაზრისით რამდენიმე თვით, არამედ მნიშვნელოვნად უსწრებდა კონკურენტებს წრიული ჩამკეტი ტრანზისტორების (GAAFET) გამოყენებაზე გადასვლის თვალსაზრისით. სამხრეთკორეელი მწარმოებელი ახლა იმედოვნებს, რომ გაასწრებს თავის კონკურენტებს 2-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის განვითარებაში თუნდაც ამჟამინდელი 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის გაფართოების ხარჯზე. 

image.jpeg 

ფოტოს წყარო: Samsung Electronics 

როგორც DigiTimes აცხადებს, კორეული გიგანტის საკონტრაქტო განყოფილება ახლა ახდენს თავის რესურსებს და ძალისხმევის მობილიზებას 2-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის განვითარების დაჩქარებაზე, თუნდაც ეს ნიშნავდეს 3 ნმ ტექნოლოგიი დანერგვის მასშტაბის შეწირვას. Samsung-მა მისი გამოყენება მასობრივ წარმოებაში დაიწყო 2022 წლის ივნისის ბოლოს, მაგრამ TSMC-, რომელიც დაახლოებით ექვსი თვით ჩამორჩებოდა, მაინც უფრო მეტი მომხმარებელი ჰყავს ამ ეტაპისთვის. 

ინდუსტრიის ექსპერტები იმედოვნებენ, რომ 2-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი და მისი ანალოგები ფართოდ გავრცელდება 2025 წელს. თუ Samsung Electronics ცდილობს, რომ გახდეს ბაზარზე სერიოზული მოთამაშე ჩიპების საკონტრაქტო წარმოების მოწინავე ლითოგრაფიის გამოყენებით, იგი ახლა აქტიურად უნდა დაეუფლოს 2 ნმ სტანდარტებს. TrendForce-ის თანახმად მიმდინარე წლის პირველ კვარტალში TSMC აკონტროლებდა გლობალური საკონტრაქტო ჩიპების წარმოების სერვისების ბაზრის თითქმის 60%-ს. Samsung-ის მენეჯმენტს სურს, რომ კომპანია გახდეს ტექნოლოგიების ლიდერი ამ სფეროში მაქსიმუმ ხუთი წლის განმავლობაში. 2 ნმ ტექნოპროცესის წარმატებით დაუფლების შესაძლებლობა დიდწილად განსაზღვრავს, არის თუ არა ეს მიზანი მიღწევადი. 

3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში, როგორც სამხრეთკორეული მედია აღნიშნავს, TSMC-სა და Samsung-ს აქვთ შესაბამისი პროდუქციის შემოსავლიანობის თანაბარი დონე, 50-დან 60%-მდე, მაგრამ თუ პირველი ორიენტირებულია ამ პროფილის წარმოების შესაძლებლობების გაფართოებაზე, მეორე უკვე ფიქრობს 2-ნმ ტექნოლოგიაზე გადასვლაზე. ადრეული სამუშაოები მიმდინარეობს პოტენციურ მომხმარებლებთან, რომლებიც მომავალში შეძლებენ შეუკვეთონ მისგან 2-ნმ პროდუქცისაკუთარი პროექტებისთვის. TSMC-ისგან განსხვავებით Samsung-ს არ სჭირდება GAAFET ტრანზისტორის სტრუქტურის პირველად გამოყენება 2 ნმ ტექნოლოგიის ფარგლებში, რადგან ის 3-ნანომეტრიან ეტაპზე დაინერგა. ამავდროულად, TSMC-მა შესაძლოა დაიწყოს 2 ნმ ჩიპების სატესტო წარმოება მიმდინარე წელსვე, რადგან Intel-ის სწრაფი პროგრესი ამ სფეროში საფრთხეს უქმნის ორივე მოქმედ კომპანიას. 

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
×
×
  • Create New...

Important Information

We have placed cookies on your device to help make this website better. You can adjust your cookie settings, otherwise we'll assume you're okay to continue.