Jump to content

Recommended Posts

Posted

image.jpeg 

კომპანია Samsung-მა გააზიარა ნახევრადგამტარი წარმოების ახალი სამოქმედო გეგმა არსებული 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიიდან 2-ნანომეტრიანი მასობრივი წარმოების გავლით 1.4-ნანომეტრიან ტექნოპროცესამდე. სამხრეთკორეული გიგანტის განცხადებით ეს მნიშვნელოვანი ნაბიჯები მომდევნო ხუთი წლის განმავლობაში გადაიდგმება. 

ზაფხულში Samsung-მა დაიწყო 3-ნანომეტრიანი ჩიპების მასობრივი წარმოება თავის უახლეს ქარხნებში, რაც საინტერესო განვითარება იყო ნახევრადგამტარი ინდუსტრიისთვის. კონკურენტი TSMC მალე უნდა დაეწიოს, თუმცა N3-ის მასობრივი წარმოების შესახებ ჯერ არ გვსმენია. 

ტრანზისტორების ტექნოლოგია Gate-all-round-ზე (GAA) გადასვლა კიდევ ერთი უპირატესობაა, რომლითაც Samsung სარგებლობს, როგორც პირველი ავტორი. ითვლებოდა, რომ ამ ნაბიჯს შეიძლება შეეფერხებინა გადასვლა 5-ნანომეტრიანიდან 3-ნანომეტრიან მასობრივ წარმოებაზე, მაგრამ Samsung-ის ინჟინრებმა შეძლეს ამ ტექნიკური დაბრკოლების გადალახვა. TSMC-ს, Intel-ს და სხვა კომპანიებს ჯერ კიდევ მოუწევთ მუშაობა, რათა უარი თქვან FinFET ტრანზისტორებზე, მათ უნდა გამოიყენონ GAA ტექნოლოგია სიმძლავრისა და წარმადობის გაუმჯობესებისთვის. 

TSMC-ის მსგავსად Samsung-ს გააჩნია მომხმარებელთა ფართო ბაზა, რაც ეხმარება მას თავდაჯერებული იყოს მოთხოვნის კლების პირობებში. თუმცა ნახევრადგამტარების ქარხნები კვლავაც სარგებლობენ დიდი მოთხოვით ისეთ სეგმენტებში, როგორიცაა მაღალი ხარისხის გამოთვლები (HPC), ხელოვნური ინტელექტი (AI), 5/6G კომუნიკაციები და მანქანათმშენებლობა. 

Samsung გონივრულად უფრთხის ბიზნესის იმ მიმართულებებში ვარდნას, რის წინაშეც იმყოფებიან სხვა კომპანიები. ამიტომ განიხილა ოპერატიული გეგმა ახალი საწარმოო სიმძლავრეების მოსამზადებლად „უპირველეს ყოვლისა“ მასში ნათქვამია, რომ 2027 წლისთვის იგი გაასამმაგებს თავისი მოწინავე საწარმოო კვანძების სიმძლავრეს, ასევე გააგრძელებს დამატებითი სიმძლავრეების წინასწარ მომზადებას ცარიელი შენობების სახით, რომლებიც მზად იქნება მოთხოვნის ზრდისთვის სპეკულაციური ინვესტიციების მინიმიზაციის პირობებში. მზადება დაიწყება ტეხასის შტატში, ტეილორში, 18 მლრდ აშშ დოლარის ღირებულების ნახევრადგამტარი პროდუქციის საწარმოო ახალი ქარხნის ადგილზე. 

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
×
×
  • Create New...

Important Information

We have placed cookies on your device to help make this website better. You can adjust your cookie settings, otherwise we'll assume you're okay to continue.