IBM-მა და Samsung-მა შექმნეს ვერტიკალური ტრანზისტორები VTFET - ისინი გვერდს აუვლიან მურის კანონს და შექმნიან ულტრაეფექტურ ჩიპებს

[Magdalena]

სან-ფრანცისკოში გამართულ კონფერენცია IEDM-ზე IBM-მა და Samsung-მა წარადგინეს ჩიპებში ტრანზისტორების ვერტიკალური განლაგების ახალი დიზაინი. Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) ტექნოლოგიას შეუძლია მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს წარმადობა ან შეამციროს ჩიპის ენერგომოხმარება შესაბამისი ზომის ტრადიციულ ჩიპებთან შედარებით. 

 

თანამედროვე პროცესორებსა და ჩიპსეტებში ტრანზისტორები სილიკონის ფირფიტაზე დატანილია ჰორიზონტალურ სიბრტყეში. VTFET-ების გამოყენებისას პირიქით, ტრანზისტორები განლაგდება ვერტიკალურად. 

დეველოპერების ინფორმაციით ამგვარ მიდგომას ორი უპირატესობა გააჩნია. პირველი, შესაძლებელია მურის კანონით მიმდინარე ტექნოლოგიებზე დაწესებული მრავალი შეზღუდვისთვის გვერდის ავლა. მეორე, დიზაინის ახალი ვარიანტი უზრუნველყოფს ნაკლებ ენერგოხარჯს ენერგიის უფრო ეფექტური გადამისამართების წყალობით. კომპანიის დეველოპერების შეფასებით შედეგად შესაძლებელი გახდება შეიქმნას ჩიპები, რომლებიც იქნება ორჯერ სწრაფი, ან გამოიყენებენ 85%-ით ნაკლებ ენერგიას FinFET ტექნოლოგიის მიხედვით წარმოებულ ჩიპებთან შედარებით. 

როგორც IBM და Samsung აცხადებენ, ერთ დღესაც ამგვარი ტექნოპროცესის გამოყენების შედეგად შესაძლებელი გახდება ისეთი სმარტფონების წარმოება, რომლებიც მთელი კვირის განმავლობაში იმუშავებენ დამუხტვის საჭიროების გარეშე და/ან შეასრულებენ დიდი ენერგოხარჯის მქონე ამოცანებს, მათ შორის კრიპტომაინინგს ელექტროენერგიის ნაკლები ხარჯითა და გარემოზე მინიმალური ზიანის მიყენებით. 

IBM-სა და Samsung-ს არ გამოუცხადებიათ, როდის აპირებენ ახალი დიზაინის კომერციალიზაციას. ისინი არ არიან ერთადერთი კომპანიები, რომლებიც ცდილობენ გადალახონ არსებული შეზღუდვები. ივლისში Intel-მა გამოაცხადა ტრანზისტორების განლაგების ახალი ვარიანტის შექმნის შესახებ, რომელიც საშუალებას მისცემს მას 2024 წლისთვის გასცდეს ნანომასშტაბს და შექმნას ჩიპები Intel 20A ტექნოპროცესის შესაბამისად ახალი ტიპის RibbonFET ტრანზისტორების გამოყენებით. 

https://tinyurl.com/yckpbtuw