Samsung Electronics-მა წარადგინა 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით დამზადებული სილიკონის ფირფიტა

[Magdalena]

კორეული პორტალი news.mtn.co.kr აცხადებს, რომ კომპანია Samsung Electronics-მა გამოფენა Nano Korea-ზე წარადგინა 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით დამზადებული სილიკონის ფირფიტა. ეს გახლავთ პირველი შემთხვევა, როდესაც 3-ნანომეტრიანი ფირფიტა წარდგა ხალხის წინაშე. 

წარმოდგენილი ფირფიტა დამზადებულია GAA (Gate-All-Around) ტექნოლოგიით, ჰორიზონტალურად განლაგებული არხებითა და შემოსაზღვრული ჩამკეტით, რაც საშუალებას იძლევა გადაილახოს ის შეზღუდვები, რაც წარმოიქმნება ნახევრადგამტარი პროდუქტების ზომის შემცირების პროცესში. ეს არის მომდევნო თაობის ტრანზისტორების სტრუქტურა, რომელიც ევოლუციურად მომდევნო ნაბიჯია FinFET სტრუქტურის შემდეგ. ეს უკანასკნელი თანამედროვე ნახევრადგამტარ პროდუქტებში გამოიყენება. 

5-ნანომეტრიან ტექნოპროცესთან შედარებით, რომელიც ამჟამად შემუშავების სტადიაშია, 3-ნანომეტრიან პროცესს შეუძლია შეამციროს მიკროსქემების ფართობი 35 %-ზე მეტად, ენერგომოხმარება კი - შემცირდეს 50 %-ით, წარმადობა გაუმჯობესდება 30 %-ით. 

ამჟამად მხოლოდ Samsung Electronics და TSMC არიან მზად 5-ნანომეტრიანი და უფრო თხელი ტექნოპროცესით ფირფიტების წარმოებისთვის. ეს ორი კომპანია ერთმანეთს აქტიურ კონკურენციას უწევს 3-ნანომეტრიანი ბაზრის დასაკავებლად. უნდა აღინიშნოს, რომ TSMC გააგრძელებს FinFET ტიპის 3-ნანომეტრიანი ტრანზისტორების წარმოებას, ამიტომ Samsung Electronics-ს აქვს შანსი - მიიღოს მეტი შეკვეთა უფრო ეფექტური ტექნოლოგიისთვის და გაუსწროს TSMC-ს, თუკი წარმოების დაწყებას არ დააგვიანებს.  

https://bit.ly/2Dc0T65 

[George]

ორჯერ დაიპოსტა ეტყობა, მეორე დუბლიკატი თემა წავშალე