კომპანია SAMSUNG-მა წარადგინა მაღალი წარმადობის ახალი ჩიპი Flashbolt - 16 გიგაბაიტით

[Magdalena]

Samsung-მა წარადგინა 2E მესამე თაობის მეხსიერების ახალი ჩიპი სახელწოდებით Flashbolt. 16 გიგაბაიტიანი HBM2E მოდული გამოყენებული იქნება სუპერკომპიუტერებში, რომლებიც განკუთვნილია დიდი მოცულობის მონაცემთა ანალიტიკური გამოთვლებისთვის, ის აგრეთვე გამოყენებას ჰპოვებს უახლეს გრაფიკულ გადაწყვეტილებებში.  

წინა მოდელ HBM2 Aquabolt-ს აქვს 8 გბ მოცულობის მეხსიერება და ახალ მოდულს ჩამორჩება წარმადობითა და ენერგოეფექტურობით. კომპანიის ოფიციალურ პრეს-რელიზში მოცემულია, რომ ორჯერ მეტი მოცულობა მიღწეულ იქნა მატრიცაზე DRAM-ჩიპის რვა ფენის ვერტიკალური განთავსებით, ტექნოპროცესი კი 10-ნანომეტრიანია. HBM2E მოდულები ერთმანეთთან დაკავშირებული 40 ათასზე მეტი სილიკონის ჭრილით. თითოეულ კრისტალზე მათი რაოდენობა 5600-ია. 

ახალი ტიპის ჩიპის მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე შეადგენს 3,2 გბიტ/წმ-ს, რისი რეალიზებაც შესაძლებელი გახდა სიგნალების გადაცემის სქემების ოპტიმიზაციის შედეგად. მაქსიმალური შესაძლო სიჩქარე 4.2 გბიტ/წმ შეადგენს.  

Samsung-ი არ აპირებს Aquabolt-ის გამოშვებაზე უარის თქმას უახლოეს მომავალში. Flashbolt ჩიპების მასიური წარმოება უახლოეს თვეებში დაიწყება. 

https://overclockers.ru/blog/iKutuzoff/show/33599/kompaniya-samsung-predstavila-novyj-chip-vysokoproizvoditelnoj-pamyati-flashbolt-na-16-gb