ერთ თვეში დაიწყება მსოფლიოში პირველი 1-გბიტიანი, 28-ნანომეტრიანი STT-MRAM-ის მასიური წარმოება

[Magdalena]

მაგნიტურ-რეზისტორული MRAM მეხსიერების ყველაზე მტკივნეულ ადგილად მოიაზრება ჩაწერის დაბალი სიმჭიდროვე. მონაცემთა შესანახი სივრცეები საკმაოდ დიდია, წარმოების შემუშავებული ტექნოლოგია კი მათი შემცირების საშუალებას არ იძლევა. თუმცა პროგრესი ერთ ადგილას არ არის გაჩერებული. კომერციული STT-MRAM მიკროსქემების მომწოდებელმა კომპანია Everspin-მა განაცხადა, რომ წარმატებით წარიმართა  ამ დრომდე არსებულზე ოთხჯერ დიდი მოცულობის STT-MRAM ჩიპების საპილოტე ხაზის გამოშვება. 

 

ამ დრომდე Everspin უშვებდა 256-მეგაბიტიან, 40-ნანომეტრიან ჩიპებს. ახალი პროდუქცია კი გახლავთ 28-ნანომეტრიანი, 1 გბიტი მოცულობის მქონე STT-MRAM მიკროსქემები. ახალი საპილოტე პროდუქტების საცდელი გამოშვება გასული წლის ბოლოს დაიწყო, მასიური წარმოება კი მიმდინარე წლის მესამე კვარტალში იგეგმება. 

STT-MRAM მეხსიერება საშუალებას იძლევა გამოიშვას ნაკლები შეფერხებისა და უფრო მეტი გამძლეობის მქონე SSD და ქეშირებული ბლოკები. იმის გათვალისწინებით, რომ მწარმოებლებმა გამოუშვეს SSD-ები 256-მეგაბიტიან მეხსიერებაზეც კი - შესაძლებელია ვივარაუდოთ, რომ უფრო მეტ SSD მოდელს ვიხილავთ 1 გბიტიან STT-MRAM Everspin ჩიპებზე. 

 

ქეშირებული ამაჩქარებელი nvNITRO Accelerator Card 1 გბ STT-MRAM მეხსიერებით 

NAND და DRAM-იდან STT-MRAM მეხსიერებაზე გადასვლის მოსახერხებლობის გამო მიკროსქემები აღიჭურვება სტანდარტული 8-და 16-ბიტიანი DDR4 ინტერფეისით, რომელიც თავსებადია ST-DDR4 სტანდარტთან. კომპანია Everspin იტყობინება, რომ ახალი მეხსიერების საკვალიფიკაციო ტესტები წრმატებულია და მეტად დაბალია საწარმოო წუნის დონე. სავარაუდოდ, ფლეშ-მეხსირებასთან დაკავშირებულ სამიტზე Everspin წარადგენს ახალ, მომდევნო მიღწევას STT-MRAM მეხსიერების განვითარების საკითხში. 

https://3dnews.ru/989727