დაიწყო ექსპერიმენტული 1 გბიტიანი STT-MRAM-ის წარმოება: მოცულობა ოთხჯერ გაიზარდა

[Magdalena]

კომპანია Everspin Technologies-მა, რომელიც მსოფლიოში ერთადერთია, ვინც უშვებს კომერციული რაოდენობის მაგნიტორეზისტული მეხსიერების ჩიპებს, გარკვეული პერიოდის წინ განაცხადა, რომ იწყებს ახალი თაობის STT-MRAM მიკროსქემების წარმოებას. Everspin-ის სერიული პროდუქცია, რომელსაც მისი შეკვეთით უშვებენ კომპანია NXP-ისა და GlobalFoundries-ის ქარხნები, წარმოადგენს 40 ნანომეტრიან STT-MRAM ჩიპებს 256 მბიტი მოცულობით. ახალი თაობის ჩიპებს კი ოთხჯერ დიდი მოცულობის, 1 გბიტიანი მეხსიერება ექნება და წარმოებული იქნება 28-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. ამ ახალ, 1 გბიტიან STT-MRAM ჩიპებს გამოუშვებს მხოლოდ კომპანია GlobalFoundries. 

 

ფოტოზე: კეშირებული ამაჩქარებელი nvNITRO Accelerator Card 1 გბიტიანი STT-MRAM მეხსიერებით 

საექსპერიმენტო 1 გბიტიანი STT-MRAM სერიის გამოშვება დაიწყო დაახლოებით ერთი თვის წინ, დეკემბერში. მასობრივი წარმოება კომერციული მიზნებისთვის მოგვიანებით დაიწყება - 2019 წლის მეორე ნახევარში. 1 გბიტიანი STT-MRAM ჩიპების მნიშვნელოვან მახასიათებლად ის ითვლება, რომ ისინი გამოდის ისეთივე კორპუსებითა და BGA-კონტაქტების იმავე რაოდენობით, როგორც 256 მბიტიანი ჩიპები. ასე რომ ახალი პროდუქტის შექმნისას მწარმოებლებს არ მოუწევთ ზედმეტი ძალისხმევა, რათა გადავიდნენ უფრო დიდი მოცულობის მქონე STT-MRAM Everspin-ებზე. 1 გბიტიანი STT-MRAM-ის ინტერფეისი არ შეცვლილა (ST-DDR4). 

 

 

IBM FlashSystem SSD STT-MRAM ბუფერით 

STT-MRAM ჩიპის მეხსიერების მოცულობის გაოთხმაგება ხელსაყრელი იქნება მაღალი წარმადობის მქონე ქეშირებული ამაჩქარებლების გამოშვებისთვის, რომლებიც განკუთვნილი იქნება უფრო დიდი მოცულობის SSD ბუფერების შესაქმნელად NAND მეხსიერებაზე. შესაძლებელია, რომ STT-MRAM მეხსიერება გამოჩნდეს საშუალო ფასის კატეგორიის SSD ბარათებში და არა მხოლოდ სერვერულ გადაწყვეტილებებში. ამით MRAM მეხსიერება გამოირჩევა ტრადიციული NAND-სგან (3D NAND). იგი უფრო სწრაფია, იყენებს ნაკლებ ენერგიას და მეტად მდგრადია.  

https://3dnews.ru/981780