HBM მეხსიერება - სიახლეები

[Power_VANO]

HBM მეხსიერება - სიახლეები

[Magdalena]

Samsung  ერთი ნაბიჯით მიუახლოვდა HBM4-ს და მეექვსე თაობის DRAM-ის გამოშვებას გეგმავს 

Samsung Electronics-მა შიდა დადასტურება მიიღო, რომ მზადაა მეექვსე თაობის DRAM-ის მასობრივი წარმოებისთვის. კომპანიამ დაასრულა მოწინავე 1c-კლასის 10-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის შემუშავება, წერს Korea Herald, რაც Samsung-ს HBM4 მეხსიერების გამოშვებასთან აახლოებს. 

 

ფოტოს წყარო: samsung.com 

ადრე გავრცელდა ინფორმაცია, რომ 1c ტექნოპროცესის ტესტირებისას Samsung-მა მოახერხა მუშა პროდუქციის მიღწევა 50%-დან 70%-მდე დონეზე. ამრიგად, კორეული მწარმოებელი ასრულებს პროდუქტის თაობების შეცვლის საკუთარ გრაფიკს დაახლოებით ორ წელიწადში ერთხელ. ეს განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია Samsung-ის სტრატეგიისთვის მაღალი სიჩქარის მეხსიერების სფეროში - მეექვსე თაობის DRAM-ზე დაფუძნებული HBM4 სტეკების მასობრივი წარმოების დაწყება დაგეგმილია მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში. 

მაისში კომპანიამ გამოაცხადა, რომ HBM4 გამოიყენებს ჰიბრიდული ურთიერთდაკავშირების ტექნოლოგიას სითბოს შესამცირებლად და ამავდროულად მეხსიერების მაღალი სიჩქარის უზრუნველსაყოფად, რაც ხელს შეუწყობს ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებისა და მაღალი წარმადობის გამოთვლითი სისტემების მზარდი მოთხოვნების დაკმაყოფილებას. 

ამჟამად, HBM4-ზე ასევე მუშაობს ბაზრის დომინანტი კომპანია SK hynix, მაგრამ ეს არის მეხუთე თაობის DRAM-ზე დაფუძნებული ტექნოლოგია. მარტში მან დაიწყო HBM4 ნიმუშების მიწოდება მსხვილი მომხმარებლებისთვის იმ მოლოდინით, რომ ამ მეხსიერების მასობრივი წარმოება წლის მეორე ნახევარში დაიწყება. Samsung-ს ჯერ არ მიუღია Nvidia-სგან HBM4 ვარიანტის შეკვეთის დამტკიცება, რამაც შეიძლება უზრუნველყოს მისი დიდი მოცულობის შეკვეთები; კორეული მწარმოებელი ასევე ელოდება 12-შრიანი HBM3E-ს დამტკიცებას, რომლის ფარგლებში იგი Nvidia-სა და AMD-სთან თანამშრომლობას იმედოვნებს. 

https://tinyurl.com/5ccydnhu 

[Magdalena]

Samsung-ი HBM4E-ის გამოყენებით მონაცემთა გადაცემის 13 გბ/წმ-მდე სიჩქარის მიღწევას ვარაუდობს 

HBM4E მეხსიერება ამ ტექნოლოგიის მეშვიდე თაობად ითვლება, რომელიც DRAM-ის მრავალსტეკიან წყობას გულისხმობს. Samsung Electronics გეგმავს HBM4E-ის მასობრივი წარმოების დაწყებას 2027 წელს, რაც მონაცემთა გადაცემის სიჩქარეს მიმდინარე HBM3E-თან შედარებით ორნახევარჯერ გაზრდის. 

ფოტოს წყარო: Samsung Electronics 

როგორც Business Korea განმარტავს კალიფორნიაში OCP Global Summit 2025-ზე Samsung-ის წარმომადგენლების პრეზენტაციაზე დაყრდნობით, კომპანია HBM4E-ის გამოყენებით მონაცემთა გადაცემის სიჩქარის გაზრდას 13 გბ/წმ-მდე თითო კონტაქტზე გეგმავს. იმის გათვალისწინებით, რომ HBM4E წარმოდგენილი იქნება 2048 კონტაქტით, შედეგად წარმადობამ შეიძლება 3.25 ტბ/წმ-ს მიაღწიოს. გარდა ამისა, HBM4E-ს ენერგოეფექტურობა ორჯერ მეტი იქნებაHBM3E-სთან შედარებით. 

შესაბამისად, HBM4-ის სიჩქარის ზრდის გამო მწარმოებლებს მოუწევთ პოტენციურად უფრო სწრაფი HBM4E-ს მახასიათებლების გადახედვა, რაც Samsung-მა ფორმალურად გააკეთა. მნიშვნელოვანია, რომ ამ მეხსიერების შედეგად მიღებული სიჩქარე პირველად გადააჭარბებს 3 ტბ/წმ-ს. 

Samsung-მა ასევე წარმოადგინა LPDDR6-ის მახასიათებლები, რომელსაც JEDEC-მა გაუწია სტანდარტიზაცია მიმდინარე წლის ივლისში. კომპანია გეგმავს ენერგოეფექტურობის 20%-ით გაუმჯობესებას LPDDR5X-თან შედარებით და სიჩქარის გაზრდას 114.1 გბ/წმ-მდე. 

საკონტრაქტო წარმოების სფეროში Samsung გეგმავს 2-ნმ პროდუქტების მასობრივი წარმოების დაწყებას მიმდინარე წლის ბოლოსთვის. Samsung-ის მომხმარებელი ამ სფეროში არის Rebellions, სამხრეთკორეული ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლების შემქმნელი. ეს 2-ნმ პროცესორები შეძლებენ 3.5-დან 4.0 გჰც-მდე სიხშირეების მიღწევას. ეს მაჩვენებელი ოდნავ აღემატება Nvidia Grace პროცესორებს Arm არქიტექტურით, რომლებიც დამზადებულია TSMC-ის მიერ 4-ნმ ტექნოლოგიის გამოყენებით და მუშაობს 3.44 გჰც-ზე. 

https://tinyurl.com/vnndeway 

[Magdalena]

Samsung-ის HBM4 ოპერატიულმა მეხსიერებამ Nvidia-ს ტესტებში უმაღლესი შეფასება მიიღო 

სამხრეთკორეული მედიის ცნობით, Samsung Electronics-მა მაღალი შეფასება მიიღო HBM4 მაღალსიჩქარიანი მეხსიერების ტესტირებაში, რომელიც გამოყენებული იქნება Nvidia-ს Vera Rubin სერიის ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლების შემდეგ თაობაში, რომლის გამოშვება მომავალ წელს არის დაგეგმილი. 

ფოტოს წყარო: Samsung 

გასულ კვირას Nvidia-ს წარმომადგენლები ეწვივნენ Samsung Electronics-ს, რათა შეეფასებინათ HBM4 მეხსიერების ტესტირების პროგრესი System in a Package (SiP) კორპუსში. შეხვედრის დროს აღინიშნა, რომ Samsung Electronics-მა მიაღწია ინდუსტრიაში წამყვან შედეგებს წარმადობისა და ენერგოეფექტურობის მხრივ. შედეგად, Samsung Electronics-მა მიიღო ძლიერი სიგნალი, რომ დააკმაყოფილა HBM4-ის კრიტერიუმები და მომავალი წლის პირველ ნახევარში დაიწყებს მიწოდებას. როგორც ცნობილია, Nvidia-ს მიერ მომავალი წლისთვის მოთხოვნილი HBM4-ის მიწოდების მოცულობა მნიშვნელოვნად აღემატება Samsung-ის შიდა შეფასებებს, რაც, სავარაუდოდ, მნიშვნელოვნად გაზრდის კომპანიის წარმოების ხაზის დატვირთვას. 

Samsung-ის P4 ხაზის გაფართოების ტემპისა და წარმოების სიმძლავრის გათვალისწინებით კომპანია HBM4 მეხსიერების კონტრაქტებს ოფიციალურად მომავალი წლის პირველ კვარტალში მოაწერს ხელს. სრულმასშტაბიანი მიწოდება მეორე კვარტალში დაიწყება. 

Samsung Electronics-მა განაცხადა, რომ მას ოფიციალურად არ შეუძლია დაადასტუროს ინფორმაცია Nvidia-ს შეფასებებთან დაკავშირებით. ინდუსტრიის ერთ-ერთმა წყარომ Maeil Business Newspaper-თან კომენტარში აღნიშნა: „HBM3E-სგან განსხვავებით, Samsung Electronics ხელმძღვანელობს HBM4-ის შემუშავებას და ეს არის საერთო აზრი კომპანიის განვითარების გუნდში“. 

 

კიდევ ერთმა სამხრეთკორეულმა მეხსიერების მწარმოებელმა გიგანტმა, SK hynix-მა, სექტემბრის ბოლოს დაასრულა HBM4 მეხსიერების ჩიპების მასობრივი წარმოებისთვის მზადება, რითაც დაახლოებით სამი თვით გაუსწრო Samsung Electronics-ს. აღსანიშნავია, რომ SK hynix-მა უკვე დაიწყო ფასიანი ნიმუშების მიწოდება Nvidia-სთვის, რაც ფაქტობრივად ადასტურებს ამ მეხსიერების წარმოების დაწყებას. თუმცა, აღსანიშნავია, რომ Samsung-ს შეუძლია სწრაფად შეავსოს ეს ხარვეზი. HBM4 მეხსიერების სრულმასშტაბიანი მასობრივი წარმოების მოსალოდნელი მომავალი წლის მეორე კვარტალში, Samsung Electronics-ს, მაღალრეიტინგულ SiP კომპანიას, შეუძლია გაზარდოს მიწოდების მოცულობა. 

„სისტემა კორპუსში“ (SiP) ტექნოლოგია გულისხმობს რამდენიმე ნახევარგამტარი ჩიპის ერთ პაკეტში ინტეგრირებას. HBM4-ის შემთხვევაში ეს ნიშნავს, რომ ისეთი კომპონენტები, როგორიცაა გრაფიკული პროცესორი, ოპერატიული მეხსიერება, ურთიერთდამაკავშირებელი სქემა და კვების წყარო, მოთავსებულია ერთ ჩიპურ პაკეტში. SiP ტესტირება ითვლება საბოლოო ეტაპად იმის დასადასტურებლად, რომ სიჩქარე, გაგრილება და სიმძლავრე კონტროლირებად ფარგლებშია. ვალიდაცია ასევე წარმოადგენს საბოლოო ეტაპს მასობრივი წარმოებისთვის მზადყოფნის დასადასტურებლად. 

https://tinyurl.com/yyc3xt25