სიახლეები მეხსიერების სფეროში

[Magdalena]

Samsung-მა განაცხადა, რომ დასრულდა მსოფლიოში პირველ GDDR7 ტიპის ოპერატიული მეხსიერების ჩიპის შემუშავება, რომლის მთავარი განმასხვავებელი მახასიათებლებია 32 GT/s, სიგნალების გადაცემის ამპლიტუდურ-იმპულსური მოდულაცია PAM3, აგრეთვე 20%-ით ნაკლები ენერგომოხმარება GDDR6-თან შედარებით. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

Samsung-ის პირველი, 16 გბ GDDR7 ჩიპი უზრუნველყოფს 32 GT/s და მონაცემთა გადაცემის 128 გბ/წმ სიჩქარეს - GDDR6X-ის შემთხვევაში ეს მაჩვენებლებია 22.4 GT/s და 89.6 გბ/წმ, შესაბამისად. ამ პარამეტრებით და 384-ბიტიანი სალტით შესაძლებელი იქნება ვიდეო ბარათის მეხსიერების ქვესისტემის 1.536 ტბ/წმ გამტარუნარიანობის მიღწევა. და ეს არის დიდი წინგადადგმული ნაბიჯი NVIDIA-ს ამჟამინდელ ფლაგმან GeForce RTX 4090-ის GDDR6X 1008 ტბ/წმ-თან შედარებით.  

ასეთი მაღალი სიჩქარის მიღწევას ხელი შეუწყო PAM3 სქემამ - სამი სასიგნალო დონის ამპლიტუდურ-იმპულსურმა მოდულაციამ (-1.0 და +1). ეს მექანიზმი ორ ციკლს საშუალებას აძლევს გადასცეს მონაცემების სამი ბიტი, რაც უფრო ეფექტურია, ვიდრე ორდონიანი NRZ GDDR6-ში. ამასთან, PAM3-ის სიგნალების გენერირება და დეკოდირება უფრო რთულია NRZ-ის სიგნალებთან შედარებით, რაც ენერგომოხმარების ზრდას იწვევს; გარდა ამისა, ისინი უფრო მგრძნობიარეა ხარვეზების მიმართ. მაგრამ PAM3-ს მაინც უფრო მეტი უპირატესობა აქვს, ამიტომ ეს სქემა გამოიყენება GDDR7-ში. 

 

უფრო მაღალი წარმადობის პარალელურად Samsung GDDR7 ჩიპი, კომპანიის განცხადებით, მოიხმარს 20%-ით ნაკლებ ენერგიას. სამწუხაროდ, ეს არ ეხება კონტროლერებს - PAM3 კოდირება/დეკოდირების ამოცანა მეტ ენერგიას მოითხოვს. Samsung-მა ასევე განაცხადა, რომ გამოიყენა ეპოქსიდის შენაერთი 70%-ით გაზრდილი თერმომდგრადობით, რაც იმას ნიშნავს, რომ GDDR7 მეხსიერების მოდულები უფრო მეტად ცხელდება, ვიდრე GDDR6 - განსაკუთრებით მაღალ ტაქტის სიხშირეებზე. კომპანიამ განაცხადა, რომ გამოუშვებს უფრო დაბალი ენერგომოხმარების GDDR7-ს ლეპტოპებისთვის, ხოლო წარმადობის მაჩვენებლები არ დაუკონკრეტებია. Samsung-ს არაფერი უთქვამს ბაზარზე ახალი ჩიპების გამოშვების ვადებთან დაკავშირებით. ყოველ ორ წელიწადში ერთხელ AMD-სა და NVIDIA-ს  ახალი არქიტექტურების გამოშვების გათვალისწინებით დასაშვებია ვივარაუდოთ, რომ ახალი თაობის ჩიპების დებიუტი GPU-ებთან ერთად 2024 წელს შედგება. 

 

კომპანიამ დაამატა, რომ GDDR7-ის სარგებელი ყველაზე მეტად გამოხატული იქნება ხელოვნური ინტელექტის სისტემებში, მაღალი ხარისხის გამოთვლების სფეროში, ასევე საავტომობილო ელექტრონიკაში. ლოგიკურია ვივარაუდოთ, რომ GDDR7 ჩიპები ამ სფეროებში უფრო ადრე გამოჩნდება, ვიდრე სამომხმარებლო გრაფიკაში. 

https://tinyurl.com/yavr9ena 

 

[Magdalena]

SK Hynix-მა განაცხადა, რომ შეიმუშავა HBM3E - მომდევნო თაობის მაღალსიჩქარიანი ოპერატიული მეხსიერება (DRAM) მაღალი წარმადობის გამოთვლებისა და კერძოდ, ხელოვნური ინტელექტის სფეროსთვის. კომპანიის მტკიცებით ეს მეხსიერება მსოფლიოში ყველაზე მაღალი წარმადობის მქონეა და ამჟამად SK Hynix-ის მომხმარებლების მიერ ტესტირებებს გადის. 

 

ფოტოს წყარო: news.skhynix.com 

HBM (High Bandwidth Memory) არის მაღალსიჩქარიანი მეხსიერება, რომელიც წარმოადგენს ვერტიკალურად დაკავშირებული რამდენიმე DRAM ჩიპის სტეკს, რაც უზრუნველყოფს მონაცემთა დამუშავების სიჩქარის მნიშვნელოვან ზრდას ჩვეულებრივ DRAM ჩიპებთან შედარებით. HBM3E არის მეხუთე თაობის HBM3 მეხსიერების გაუმჯობესებული ვერსია, რომელიც ცვლის წინა - HBM, HBM2, HBM2E და HBM3 თაობებს. 

SK hynix ხაზს უსვამს, რომ HBM3E-ის წარმატებული განვითარება შესაძლებელი გახდა კომპანიის, როგორც HBM3-ის ერთადერთი მასობრივი მწარმოებლის მიერ მიღებული გამოცდილებით. დაგეგმილია HBM3E-ს მასობრივი წარმოების დაწყება მომავალი წლის პირველ ნახევარში, რაც განამტკიცებს კომპანიის ლიდერ პოზიციას ხელოვნური ინტელექტის მეხსიერების ბაზარზე. 

 

SK hynix-ის თანახმად ახალი პროდუქტი არა მხოლოდ აკმაყოფილებს ინდუსტრიის უმაღლეს სტანდარტებს ხელოვნური ინტელექტის ამოცანების სიჩქარესთან მიმართებაში, არამედ სხვა კატეგორიებში, მათ შორისაა მოცულობა, გაგრილება და მოსახერხებელი გამოყენება. HBM3E-ს შეუძლია მონაცემების დამუშავება 1.15 ტბ/წმ-მდე სიჩქარით, რაც 230-ზე მეტი, თითო 5-გიგაბატიანი სრულმეტრაჟიანი ფილმის Full HD გაფართოებით წამში გადაცემის ეკვივალენტურია. 

გარდა ამისა, HBM3E-ს აქვს 10%-ით უკეთესი გაგრილება Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2) ტექნოლოგიის წყალობით. ახალი მეხსიერება ასევე უზრუნველყოფს უკუთავსებადობას, რაც საშუალებას იძლევა გამოყენებულ იქნას HBM3-ისთვის შექმნილ, აქტუალურ ამაჩქარებლებში. 

„ჩვენ გვაქვს SK hynix-თან თანამშრომლობის ხანგრძლივი ისტორია მაღალსიჩქარიან მეხსიერებაზე დამყარებული მოწინავე დაჩქარებული გამოთვლითი გადაწყვეტილებების მხრივ. ჩვენ მოუთმენლად ველით HBM3E-თან თანამშრომლობის გაგრძელებას ხელოვნური ინტელექტის გამოთვლების შემდეგი თაობის შესაქმნელად,” - განაცხადა NVIDIA-ს ჰიპერმასშტაბირებისა და მაღალი წარმადობის გამოთვლების ვიცე-პრეზიდენტმა Ian Buck-მა.  

SK hynix-ის DRAM პროდუქტების დაგეგმვის ხელმძღვანელმა Sungsoo Ryu-მ აღნიშნა, რომ კომპანიამ გააძლიერა თავისი პოზიცია ბაზარზე HBM პროდუქციის ხაზის გაფართოებით, რომელიც ყურადღების ცენტრშია ხელოვნური ინტელექტის ტექნოლოგიის განვითარების ფონზე. 

https://tinyurl.com/2bjuf887 

[Magdalena]

კომპანია Samsung-მა ადრე გამოაცხადა, რომ აპირებს გააფართოვოს პოპულარული სერია Samsung 990 Pro NVMe SSD PCIe 4.0 4-ტერაბაიტიანი მოდელით. მიმდინარე კვირაში ცნობილი გახდა როდის გამოვა დისკი გაყიდვაში და რა ეღირება. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

Samsung 990 Pro 4TB წარმოდგენილი იქნება, როგორც SSD გაგრილების სისტემის გარეშე (მოდელი MZ-V9P4T0BW), აგრეთვე გამოვა ვერსია ალუმინის რადიატორითა და განათებით (მოდელი MZ-V9P4T0CW). Samsung 990 Pro-ს საფუძვლად გამოყენებულია კომპანიის წარმოების მეხსიერების კონტროლერი Samsung Pascal 8-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის საფუძველზე, აგრეთვე 178-შრიანი ფლეშ-მეხსიერების ჩიპები Samsung TLC 3D NAND. 

ახალ, 4 ტბ მოდელს ექნება 2-ტერაბაიტიანი მოდელის იდენტური ჩაწერა-წაკითხვის სიჩქარეები - 7540 და 6900 მბ/წმ, შესაბამისად. ახალი SSD-ის წარმადობა წაკითხვის ოპერაციებში 1.6 მლნ IOPS-მდეა, შემთხვევითი ჩაწერის - 1.55 IOPS. SSD-ს ექნება 4 გბ LPDDR4 მეხსიერება და 2400 TBW (ტერაბაიტი გადაწერილი ინფორმაცია) გადაწერის რესურსი. 

 

კომპანიამ დაამატა, რომ მაღალი სიმჭიდროვის ( 1 ტბიტ) მე-8 თაობის NAND ფლეშ მეხსიერების ჩიპების გამოყენებამ უზრუნველყო მათი Samsung 990 Pro 4 ტბ დისკზე განთავსება არა ორ, არამედ ერთ მხარეს. ამრიგად, ახალი SSD-ის გამოყენება უპრობლემოდ შესაძლებელია იმავე ლეპტოპებში, მოწყობილობასთან შეუთავსებლობის შიშის გარეშე. 

4 ტბ Samsung 990 Pro გაყიდვაში ოქტომბერში გამოვა. კომპანიის ოფიციალურ ონლაინ მაღაზიაში, ისევე როგორც ონლაინ საცალო ვაჭრობაში, იგი 344.99 აშშ დოლარადაა შეფასებული. ასევე გაიყიდება ვერსია გაგრილების რადიატორით. მისი სარეკომენდაციო ფასია 354.99$. 

კომპანიამ ასევე გამოაცხადა პროგრამული უზრუნველყოფის ახალ ვერსია Samsung Magician 8.0-ის მზადების შესახებ  SSD-ების მონიტორინგისა და მართვისთვის. აპლიკაციის ახალი ვერსია ხელმისაწვდომი მიმდინარე თვეში გახდება. კომპანიას არაფერი გაუზიარებია Magician 8.0-ის ახალი ფუნქციების შესახებ. 

https://tinyurl.com/ypb7d7c3 

[Magdalena]

კომპანიის ახალი პროდუქტების საინტერესო მახასიათებელია მათი გარეგნული დიზაინის შეცვლის შესაძლებლობა რადიატორების ზედა ნაწილის შეცვლით. 

 

ფოტოს წყარო: Corsair 

Corsair Dominator Titanium DDR5 მეხსიერების მოდულების რადიატორების ზედა ნაწილში მოცემულია პანელი, რომელთა მოხსნა და შეცვლა შესაძლებელია საკუთარით ან Corsair-ში ნაყიდით. ამასთან,  ARGB დარჩება გარდა იმ შემთხვევისა, როდესაც ზედა ნაწილი მთლიანად გაუმჭვირვალეა. განათების მართვისთვის მოცემულია საფირმო პროგრამული უზრუნველყოფა Corsair iCUE. 

 

Corsair-ისგან შემოთავაზებულია ოპერატიული მეხსიერების მოდულები როგორც Intel XMP 3.0 აჩქარების პროფილის, ისე AMD EXPO პროფილის მხარდაჭერით. მოდულები პრაქტიკულად იდენტურად გამოიყურება, ამიტომ შეძენამდე საჭიროა კომპლექტის ყურადღებით შესწავლა. ასევე შესაძლებელია მოდულის ფერზე ყურადღების გამახვილება: XMP 3.0-ის მხარდაჭერის მქონე მოწყობილობა ხელმისაწვდომი იქნება შავ ან თეთრ ფერში, AMD EXPO-ს მხარდაჭერით კი - მხოლოდ ნაცრისფერში. 

 

 

Dominator Titanium DDR5 შემოთავაზებულია ორარხიანი ნაკრების სახით და მოცულობა შეადგენს 32 (2×16), 48 (2×24), 64 (2×32) და 96 (2×48) გბ-ს. ოთხარხიანი ნაკრებები კი წარმოდგენილი იქნება 16, 24 და 48 გბ მოდულებით. ასეთ შემთხვევაში, ნაკრებების ჯამური მოცულობა 192 გბ-მდეა. მოდულების სიჩქარე ვარირებს DDR5-6000-დან DDR5-8000-მდე, სამუშაო ძაბვა კი - 1.35-დან 1.45 ვოლტამდე. 

 

 

Corsair აგრეთვე გამოუშვებს სპეციალურ ნაკრებს - First Edition - თითოეული მოდელის მხოლოდ 500 წყვილს. ისინი ხელმისაწვდომი იქნება ორარხიანი 32 (2×16), 48 (2×24) და 64 (2×32) გბ ნაკრებების სახით და DDR5-6000, DDR5-6600 და DDR5-7200 სიჩქარეებით. მოცულობის მიუხედავად ყველა მათგანი იმუშავებს 1.4 ვოლტ ძაბვაზე. 

 

 

First Edition ვარიანტები წარმოდგენილი იქნება დამატებითი აქსესუარებით, როგორიცაა კომპანიის საფირმო სახრახნისი, აგრეთვე რადიატორების მოხსნადი ფირფიტები. მითითებული ნაკრებები მხოლოდ Corsair-ის ოფიციალურ ონლაინ-მაღაზიაში იქნება ხელმისაწვდომი. 

 

კომპანია DDR5-6000 კომპლექტს CL30 ტაიმინგით, 32 გბ (2×16 გბ) მოცულობით და DDR5-7200 კომპლექტს იმავე მოცულობის CL32 ტაიმინგით 174.99 და 234.99 აშშ დოლარად აფასებს, შესაბამისად. ორარხიანი DDR5-6000 ნაკრები CL30 ტაიმინგით და 64 გბ (2x32 გბ) მოცულობით 314.99 აშშ დოლარად იყიდება. 

https://tinyurl.com/3vx378cs 

[Magdalena]

კომპანია Samsung-მა გამოუშვა Portable SSD T9 სერიის გარე მყარი დისკები. სერია მოიცავს 1, 2 და 4 ტბ მოცულობის მოდელებს. ახალი პროდუქტები ძირითადად განკუთვნილია ციფრული კონტენტის შემქმნელებისთვის. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

SSD-ებს USB Type-C 3.2 Gen2x2 ინტერფეისი აქვს. ყველა მოდელის თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარე 2000 მბ/წამამდეა. 1- და 2-ტერაბაიტიანი მოდელების თამიმდევრული ჩაწერის სიჩქარე 1950 მბ/წმ-ს შეადგენს, 4-ტერაბაიტიანისა - 2000 მბ/წმ-ს. კომპანია აღნიშნავს, რომ მოწყობილობებს შეუძლია 4 გბ ვიდეოფაილის Full HD ფორმატში გადაცემა დაახლოებით 2 წამში. 

 

SSD-ებს გამძლე კორპუსი აქვს. Samsung ამბობს, რომ მოწყობილობები გაუძლებს სამ მეტრამდე სიმაღლიდან ვარდნას. ასევე, პორტატულ SSD T9 გარე დისკებს შეუძლია იმუშაონ 0-დან 60 გრადუსამდე ტემპერატურაზე და შეინახონ ინფორმაცია -40-დან +85 გრადუსამდე გარემოს ტემპერატურაზე. 

 

პორტატულ SSD-ებს აქვს AES-256-ბიტიანი დაშიფვრის მხარდაჭერა. SSD-ის მდგომარეობის მონიტორინგისა და მართვისთვის კომპანია გვირჩევს გამოვიყენოთ საფირმო პროგრამული უზრუნველყოფა Magician Software 8.0. 

 

SSD-ების ზომაა 88 × 60 × 14 მმ, წონა - 122 გრამი. მხარდაჭერილია ოპერაციული სისტემები Windows, macOS და Android. 

 

Samsung Portable SSD T9 1, 2 და 4 ტბ მოცულობის დისკების ღირებულება 140, 240 და 440 აშშ დოლარია, შესაბამისად. მათ მოყვება ხუთწლიანი მწარმოებლის გარანტია. ახალი მოწყობილობები გაყიდვაში 3 ოქტომბერს გამოვიდა. 

https://tinyurl.com/2fpnkrnz 

[Magdalena]

Samsung-მა გააზიარა 990 Evo-ს SSD-ის მახასიათებლები. ახალი პროდუქტის თავისებურება ის არის, რომ მას შეუძლია მუშაობა ორ, PCIe 4.0 x4 ან PCIe 5.0 x2 რეჟიმში. ამავდროულად, დისკის სიჩქარე ორივე შემთხვევაში იდენტურია.  

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

SSD უზრუნველყოფს თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარეს 5000 მბ/წმ-მდე და ჩაწერის სიჩქარეს - 4200 მბ/წმ-მდე, აგრეთვე შემთხვევითი წაკითხვის და ჩაწერის ოპერაციებში 700 ათას და 800 ათას IOPS დონეს, შესაბამისად. მყარი დისკი კონკრენციას გაუწევს დაბალფასიან მოდელებს, როგორიცაა TeamGroup MP44L და უფრო პოპულარული WD_Black SN770. Samsung 990 Evo NVMe SSD-ის უპირატესობას წარმოადგენს უფრო ენერგოეფექტური 5-ნანომეტრიანი კონტროლერი, აგრეთვე 133-შრიანი ფლეშ-მეხსიერების V6P TLC NAND ჩიპების გამოყენება. SSD-ს არ აქვს საკუთარი DRAM ქეშ-მეხსიერება და შესაბამისი მიზნისთვის პერსონალური კომპიუტერის სისტემურ მეხსიერებას იყენებს. 

როგორც ზემოთ აღინიშნა, 990 Evo-ს შეუძლია იმუშაოს PCIe 4.0 x4 ან PCIe 5.0 x2 რეჟიმებში. Samsung-ის თქმით PCIe 5.0 x2 ინტერფეისის მქონე დისკის ჰიბრიდული დიზაინი შექმნილია იმისათვის, რომ დააკმაყოფილოს SSD-ების მიმდინარე გამოთვლითი მოთხოვნილებები სამომავლო მოთხოვნების მოლოდინში. კომპანიაში არ განმარტავენ, კონკრეტულად რას უნდა ნიშნავდეს ეს. 

ვინაიდან ოთხი PCIe 4.0 და ორი PCIe 5.0 არხის გამტარი სიჩქარე იდენტურია, ერთი ან მეორე ოპერაციული რეჟიმის გამოყენება არ გამოიწვევს წარმადობის დაკარგვას. თუმცა ორი PCIe 5.0 არხის გამოყენებამ შეიძლება ოდნავ გააუმჯობესოს დისკის ენერგოეფექტურობა გარკვეულ შემთხვევებში. ეს კომბინაცია შექმნილია იმისთვის, რომ Samsung 990 Evo NVMe SSD იყოს შესაფერისი არჩევანი არა მხოლოდ ლეპტოპებისთვის, არამედ, მაგალითად, გეიმინგ კონსოლ PS5-სთვის. 

 

Samsung 990 Evo NVMe SSD შემოთავაზებული იქნება 1 და 2 ტბ ვერსიების სახით. პირველის ფასი 124.99 აშშ დოლარია, მეორესი - 209.99 აშშ დოლარი. ორივე მოდელს გააჩნია მწარმოებლის ხუთწლიანი გარანტია. Samsung აცხადებს 600 TBW (ტერაბაიტი გადაწერილი ინფორმაციის) რესურსს მცირე ვერსიისთვის და ორჯერ მეტს - უფროსი ვერსიის შემთხვევაში. 

http://tinyurl.com/y3ykxzp4 

[Magdalena]

კომპანია Micron Technology-მ წარადგინა ორი ახალი პროდუქტი Crucial Pro სერიაში - Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition ოპერატიული მეხსიერების მოდულების სერია და PCIe 5.0 სტანდარტის მყარი დისკი Crucial T705. ადრეული მიმოხილვების თანახმად ეს არის ყველაზე სწრაფი სამომხმარებლო SSD მსოფლიოში. 

 

ფოტოს წყარო: Micron 

Crucial T705 PCIe 5.0 SSD-ები ხელმისაწვდომი იქნება 1, 2 და 4 ტბ მოდელებად. მწარმოებელი აცხადებს, რომ თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარეა 14.500 მბ/წმ-მდე, ხოლო ჩაწერის სიჩქარე - 12.700 მბ/წმ-მდე. შემთხვევითი წაკითხვისა და ჩაწერის ოპერაციებში ახალი მოწყობლობების წარმადობა აღწევს 1.55 მილიონ და 1.8 მილიონ IOPS-ს, შესაბამისად. ამასთან, ყველაზე სწრაფია 2 ტბ ვერსიები. 

 

მწარმოებელი აღნიშნავს, რომ Crucial T705 დისკებში გამოყენებულია თავად Micron-ის წარმოების 232-შრიანი TLC NAND ფლეშ მეხსიერების ჩიპები სიჩქარით 2400 MT/s. ახალი SSD აგებულია Phison E26 კონტროლერზე. ასევე ხელმისაწვდომია ქეში LPDDR4 მეხსიერებიდან. კომპანია ხუთწლიან გარანტიას იძლევა SSD-ის ყველა მოდელზე. 

 

Crucial T705 SSD-ები ხელმისაწვდომი იქნება შავი ალუმინის რადიატორით ან მის გარეშე. გარდა ამისა, კომპანია წარადგენს Crucial T705-ის სპეციალურ 2 ტბ ვერსიას თეთრი რადიატორით. 

ახალი მოწყობილობების წინასწარი გაყიდვები 12 მარტს დაიწყება. ფასი იწყება 239.99 აშშ დოლარიდან - ეს არის 1 ტბ ვერსიის ფასი რადიატორის გარეშე, ხოლო ღირებულება 729.99 აშშ დოლარს აჭარბებს 4 ტბ რადიატორიანი მოდელის შემთხვევაში. 

 

ოპერატიულ მეხსიერება Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition-ს აქვს CL36-38-38-80 შეყოვნება, რაც 25%-ით დაბალია ადრე გამოშვებულ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition RAM მოდულებთან შედარებით. ახალი მეხსიერების მოდულების ოპერაციული ძაბვაა 1.35 ვოლტი. Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition მეხსიერების მოდულების ეფექტური სიხშირეა 6000 მჰც. ისინი თავსებადია Intel XMP 3.0 და AMD EXPO აჩქარების პროფილებთან. 

 

Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition ოპერატიული მეხსიერება ხელმისაწვდომი იქნება ორარხიან კომპლექტებად, რომლებიც შედგება ორი 16 გბ DDR5-6000 მოდულისგან (სულ 32 გბ), ასევე ორი 24 გბ მოდულისგან შემდგარ ორარხიან კომპლექტებად (ჯამში 48 გბ). პირველი მათგანი გაყიდვაში 27 თებერვლიდან გამოვა, მეორეს კომპანია მიმიდინარე წლის ბოლოს გამოუშვებს. 

http://tinyurl.com/35j7mrp4 

[Magdalena]

Samsung-მა განაცხადა, რომ დაიწყო 256 გბ SD Express microSD მეხსიერების ბარათების ნიმუშების მიწოდება, რომლებსაც აქვთ ძალიან მაღალი, 800 მბ/წმ-მდე წაკითხვის სიჩქარე. გარდა ამისა, კომპანიამ დააანონსა UHS-1 ინტერფეისის მქონე 1 ტბ-მდე microSD მეხსიერების ბარათების მასობრივი წარმოების დაწყება.  

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

Samsung აღნიშნავს, რომ UHS-1 ინტერფეისის მქონე კლასიკური microSD მეხსიერების ბარათები უზრუნველყოფენ წაკითხვის საშუალო 104 მბ/წმ სიჩქარეს. SD Express ბარათების შემთხვევაში წაკითხვის თანმიმდევრული სიჩქარე გაიზარდა 985 მბ/წმ-მდე, მაგრამ ასეთი გადაწყვეტილებები კომერციული პროდუქტების სახით ბოლო დრომდე არ იყო ხელმისაწვდომი. 

PCIe 3.0 x1 მხარდაჭერის წყალობით Samsung SD Express microSD მეხსიერების უახლეს ბარათებს შეუძლიათ კონკურენცია გაუწიონ SATA SSD-ებს. მათი თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარე აღწევს 800 მბ/წმ-ს, რაც 1.4-ჯერ უფრო სწრაფია ჩვეულებრივ SATA III SSD-ებთან (560 მბ/წმ-მდე) და ოთხჯერ უფრო სწრაფი - UHS-1 ინტერფეისის მქონე მეხსიერების ბარათებთან (200 მბ-მდე) შედარებით. Samsung Dynamic Thermal Guard ტექნოლოგია, რომელიც გამოიყენება Samsung SD Express microSD მეხსიერების უახლეს ბარათებში, პასუხისმგებელია მათ წარმადობასა და საიმედოობაზე და ოპტიმიზაციას უწევს სამუშაო ტემპერატურას ხანგრძლივი დატვირთვის დროს. 

1 ტბ Samsung SD microSD UHS-1 მეხსიერების ბარათები, რომლებიც მასობრივ წარმოებაში შევიდა, შედგება მე-8 თაობის V-NAND მეხსიერების რვა 1 ტბ ფენისგან. წარმოების დროს ამ მეხსიერების ბარათებს უტარდებათ გამძლეობის მკაცრი ტესტირება და ენიჭებათ ექვსი დამცავი ფუნქცია: წყლის წინააღმდეგობა, უკიდურესი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, ვარდნის წინააღმდეგობა, ცვეთის წინააღმდეგობა, რენტგენის გამოსხივების წინააღმდეგობა და მაგნიტური დაცვა. 

Samsung-ის უახლესი 256 გბ SD Express microSD მეხსიერების ბარათები 800 მბ/წმ-მდე წაკითხვის სიჩქარით ხელმისაწვდომი გახდება მიმდინარე წლის ბოლოს. Samsung SD microSD UHS-1 1 ტბ მეხსიერების ბარათების გამოსვლა კი მოსალოდნელია წლის მესამე კვარტალში. 

http://tinyurl.com/bdryw7uf 

[Magdalena]

Samsung-მა გამოაცხადა ენერგოეფექტური LPDDR5X DRAM-ის შემუშავების შესახებ, რომელსაც აქვს მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე 10.7 გბ/წმ-მდე თითო პინზე, რაც ყველაზე მაღალი მაჩვენებელია ინდუსტრიაში. კონკურენტებს ჯერ არ შეუძლიათ მსგავსი რამის შეთავაზება. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

Samsung-ის 10.7 გბ/წმ LPDDR5X DRAM დამზადებულია 12-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის გამოყენებით. კომპანია აღნიშნავს, რომ მან შეძლო ბაზარზე ყველაზე კომპაქტური LPDDR5X ჩიპების შემუშავება. 

Samsung-ის ახალი მეხსიერება არა მხოლოდ უზრუნველყოფს 25%-ით მაღალ წარმადობას და 30%-ით მეტ სიმჭიდროვეს წინა თაობის LPDDR5X მეხსიერებასთან შედარებით, არამედ ზრდის მობილური DRAM-ის ერთი ნაკრების მოცულობას 32 გბ-მდე, რაც მას ოპტიმალურ გადაწყვეტილებად აქცევს ხელოვნური ინტელექტის ეპოქის მოწყობილობებისთვის, რომელიც მოითხოვს მაღალ წარმადობას, უფრო დიდი მოცულობის და ენერგოეფექტურ ოპერატიულ მეხსიერებას“. 

კომპანია აღნიშნავს, რომ მისი ახალი LPDDR5X მეხსიერება აერთიანებს ელექტროენერგიის დაზოგვის სპეციალიზებულ ტექნოლოგიებს, როგორიცაა ოპტიმიზებული სიმძლავრე, რომელიც არეგულირებს ენერგიას დატვირთვის მიხედვით, ასევე დაბალი ენერგომოხმარების გაფართოებულ ინტერვალებს, რომლებიც ახანგრძლივებს ენერგიის დაზოგვის პერიოდებს. ეს გაუმჯობესებები მეხსიერების ენერგოეფექტურობას 25%-ით ზრდის წინა თაობასთან შედარებით, რაც მასზე მომუშავე მობილურ მოწყობილობებს ავტონომიური მუშაობის ხანგრძლივი დროით უზრუნველყოფს. 

10.7 გბ/წმ სიჩქარის მქონე Samsung LPDDR5X მეხსიერების მასობრივი წარმოება დაიწყება მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში მობილური პლატფორმების მწარმოებლებისა და მათზე დაფუძნებული მოწყობილობების ყველა საჭირო შემოწმების შემდეგ. 

https://tinyurl.com/2jue28pd 

[Magdalena]

Samsung-მა დააანონსა რამდენიმე მყარი დისკი კონფერენცია The Future of Memory and Storage-ზე (ყოფილი Flash Memory Summit ახალი PM1753 ხაზი გვპირდება რეკორდულ PCIe 5.0 სიჩქარეს, ხოლო BM1743 მალე მიიღებს 128 ტბ მოდელს. სამომხმარებლო სეგმენტში მალე შედგება PM9E1 PCIe 5.0-ის დებიუტი. 

 

ფოტოს წყარო: samsung.com 

Samsung-ის ამჟამად არსებულ ასორტიმენტში მაქსიმალური სიჩქარის მქონეა PM1743 სერია, მაგრამ ის უკვე რამდენიმე წელია არსებობს და დროა მისი მემკვიდრე გამოვიდეს. ახალი Samsung PM1753-იც დაკავშირებულია PCIe 5.0 x4-ით, მაგრამ იგი თითქმის სრულად იყენებს ინტერფეისის პოტენციალს. PM1743-ს აქვს თანმიმდევრული წაკითხვის სიჩქარე 14 გბ/წმ-მდე, ხოლო PM1753-ს - 14.8 გბ/წმ, ჩაწერის სიჩქარე გაიზარდა 6-დან 11 გბ/წმ-მდე. შემთხვევითი ოპერაციების წარმადობა გაიზარდა 3.4 მილიონ IOPS-მდე. ახალი თაობის დისკი წარმოდგენილია 16-არხიანი კონტროლერით, 32 ტბ-მდე TLC-NAND მეხსიერებით და შემოთავაზებულია U.2 და E3.S ფორმ-ფაქტორების სახით. 

Samsung-მა შვიდი წლის წინ წარადგინა თავისი პირველი 128 ტბ მოცულობის SSD და მას შემდეგ ის დემო სახით გამოდის გამოფენებზე. ამ სიმძლავრის მოდელი ბაზარზე BM1743 სერიით გამოვა. გაზაფხულზე კორეელმა მწარმოებელმა განაახლა სერია 64 ტბ (61.44 ტბ) მოდელით და განაცხადა, რომ ეს მაჩვენებელი შეიძლება გაორმაგდეს - ახლა კომპანიამ ოფიციალურად დააანონსა BM1743 SSD 128 ტბ (122.88 ტბ) მოცულობით, მაგრამ ჯერ გამოუცხადებია მისი გამოშვების თარიღი. დისკი წარმოდგენილია Samsung-ის QLC მეხსიერებით და უზრუნველყოფს წაკითხვის სიჩქარეს 7.5 გბ/წმ, ჩაწერის სიჩქარეს 3.5 გბ/წმ და 1.6 მილიონ IOPS-მდე შემთხვევითი ოპერაციების წარმადობას. 

კომპანიამ კვლავ გადაწყვიტა მომავლისკენ ხედვა. 256 ტბ მოცულობის SSD 2024-დან 2026 წლამდე პერიოდში გამოჩნდება, 1 პბ მოდელის გამოსვლა 2035 წლამდე მოსალოდნელი არ არის, ხოლო 16 ტბ მოცულობის M.2 SSD-ს კომპანია 2027 წელს გამოუშვებს. სამხრეთკორეელმა მწარმოებელმა ასევე ისაუბრა სამომხმარებლო სისტემებისთვის განკუთვნილ PM9E1 მოდელზე - იგი გამოვა, როგორც OEM პროდუქტი PCIe 5.0-ით, ექნება 4 ტბ-მდე მოცულობა და უზრუნველყოფს 14.5 გბ/წმ წაკითხვის და 13 გბ/წმ ჩაწერი სიჩქარეს. 

https://tinyurl.com/55z58v3j 

[Magdalena]

Nvidia წამყვან მწარმოებლებთან - SK Hynix-თან, Samsung-სა და Micron-თან ერთად ქმნის მეხსიერების ახალ სტანდარტს, რომელიც მიზნად ისახავს მაღალი წარმადობისა და კომპაქტური ზომების მიღწევას. სტანდარტს ეწოდება System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) და უკვე გადის ტესტირებას. 

 

ფოტოს წყარო: Nvidia 

მოდული შეიძლება საფუძვლად დაედოს Nvidia Project Digits-ზე დამყარებულ ხელოვნური ინტელექტის (AI) კომპიუტერების შემდეგ თაობას, რომელიც CES 2025-ზე დაანონსდა. Tom's Hardware-ის მიხედვით ახალი სტანდარტი გადააჭარბებს არსებულ Low-Power Compression Attached (LPCAMM) მეხსიერების მოდულებს და ტრადიციულ DRAM გადაწყვეტილებებს მთელი რიგი უპირატესობების წყალობით. 

პირველ რიგში, SOCAMM იქნება უფრო ეკონომიური SO-DIMM DRAM-თან შედარებით, რადგან ტექნოლოგია LPDDR5X მეხსიერების პირდაპირ კრისტალზე განთავსების საშუალებას იძლევა. მეორე, SOCAMM-ს ექნება მეტი I/O ინტერფეისი - 694-მდე პორტი LPCAMM 644-ის ნაცვლად და 260 - ტრადიციული DRAM-ისთვის, რამაც მნიშვნელოვნად უნდა გაზარდოს მონაცემთა გაცვლის სიჩქარე. 

გარდა ამისა, ვინაიდან მოდული იქნება მოხსნადი, ეს გააადვილებს აპარატურის განახლებას მომავალში. ამავდროულად, კომპაქტური ზომა ხელს შეუწყობს მეხსიერების ჯამური მოცულობის გაზრდას. 

SOCAMM-ის ტექნიკური დეტალები ამჟამად გასაიდუმლოებულია, რადგან სტანდარტი მუშავდება JEDEC-ის საბჭოს ჩარევის გარეშე. არსებული ინფორმაციით Nvidia და პარტნიორები ამჟამად ცვლიან მოდულის პროტოტიპებს წარმადობის ტესტირებისთვის. 

https://tinyurl.com/3ccyhf37 

[Magdalena]

ხელოვნური ინტელექტის ბუმის ფონზე მეხსიერებაზე ფასების ზრდას ბაზრის მონაწილეთა უმეტესობა ადასტურებს 

ბოლო თვეების განმავლობაში ყველა მეხსიერების ჩიპების ბაზარზე არსებულ ვითარებაზე საუბრობდა და Bloomberg-მა გადაწყვიტა, ერთ სტატიაში შეეჯამებინა ძირითადი კომპონენტებისა და წინასწარ აწყობილი კომპიუტერების მწარმოებლების ყველა ბოლოდროინდელი განცხადება. სიტუაცია იწყებს გავლენას წინასწარ აწყობილი კომპიუტერების ბაზარზე, რომელსაც, Windows 10-ის მხარდაჭერის დასრულების გათვალისწინებით მომხმარებლის აქტივობის ახალი ბიძგი უნდა მიეღო. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung Electronics 

როდესაც HP Inc.-მა და Dell Technologies-მა ფინანსური კვარტლის შედეგები გამოაქვეყნეს, მათ ვერ შეძლეს მეხსიერების დეფიციტის იგნორირება. Dell-ის საოპერაციო დირექტორმა ჯეფ კლარკმა ცოტა ხნის წინ აღიარა, რომ კომპიუტერულ ინდუსტრიაში ხარჯების ასეთი სწრაფი ზრდა არასდროს უნახავს. ზრდა მხოლოდ მეხსიერების ჩიპებით, მათ შორის DRAM და NAND-ით არ შემოიფარგლება, რადგან მონაცემთა შენახვისთვის განკუთვნილი მყარი დისკების ფასებიც იზრდება. კლარკის თქმით, ყველა კომპონენტის ღირებულება მატულობს. 

მიუხედავად იმისა, რომ Dell ცდილობს შეამსუბუქოს ხარჯების ეს ცვლილებები, ის აღიარებს, რომ მომხმარებლები ვერ შეძლებენ თავიდან აიცილონ ეს ტენდენცია მათ ბიუჯეტზე ზემოქმედებისგან. კომპანია ასევე იძულებული იქნება გადახედოს თავისი პროდუქციის ფასებს, აღიარა კომპანიის წარმომადგენელმა. 

კონკურენტი კომპანია HP Inc. მომავალი წლის მეორე ნახევარს ყველაზე რთულად მიიჩნევს, რადგან ამ დროისთვის მისი მეხსიერებისა და სხვა კომპონენტების მარაგი ამოიწურება, რითაც იძულებული გახდება ახალი მოწყობილობები მნიშვნელოვნად მაღალ ფასებში შეიძინოს. დამატებითი მეხსიერების მომწოდებლების ძიება და მეხსიერების მოცულობის შემცირება გარკვეულ კომპიუტერულ კონფიგურაციებში HP Inc.-ს ხელს შეუშლის სრულად აიცილოს თავიდან თავისი პროდუქციის ფასების ზრდა. ამჟამად ოპერატიული მეხსიერება სტანდარტული კომპიუტერის ღირებულების 15-18%-ს შეადგენს. 

გასულ თვეში SK Hynix-მა განაცხადა, რომ მან უკვე გაყიდა ყველა ოპერატიული მეხსიერება, რომლის წარმოებაც მომავალი წლის ბოლომდე ჰქონდა დაგეგმილი, ხოლო Micron-ი ასევე პროგნოზირებს, რომ დეფიციტი 2026 წლამდე გაგრძელდება. CLSA Securities-ის ანალიტიკოსები ვარაუდობენ, რომ მეხსიერების ფასების ზრდა მომდევნო რამდენიმე კვარტალშიც გაგრძელდება. პრობლემა ასევე იმოქმედებს ლოგიკური ნახევარგამტარი კომპონენტების მომწოდებლებზე, რადგან მეხსიერების ფასების ზრდა ზოგიერთ მომხმარებელს მათი პროდუქციის შეძენისგან დააბრკოლებს, ვინაიდან ეს კომპონენტები ერთად იყიდება და გამოიყენება. ჩინეთის SMIC-ის წარმომადგენლებმა უკვე გამოთქვეს გაფრთხილება, რომ მეხსიერების დეფიციტი მომავალ წელს შეზღუდავს საავტომობილო და სამომხმარებლო ელექტრონიკის წარმოების მოცულობას, მათ შორის სმარტფონების კომპონენტებს. Xiaomi-მაც განაცხადა, რომ მომავალ წელს იძულებული იქნება გაზარდოს მობილურ მოწყობილობების ფასები. 

ჩინეთში უმსხვილესი კომპიუტერების მწარმოებელი კომპანია Lenovo ამ ფონზე უფრო თავდაჯერებულად გრძნობს თავს და თვლის, რომ მას შეუძლია მეხსიერების ფასების ზრდას უფრო დიდხანს გაუძლოს დაგროვილი კომპონენტების მარაგის, ბიზნესის მასშტაბისა და კრიზისების მართვის გამოცდილების წყალობით. ნებისმიერ შემთხვევაში, თავად ეს მწარმოებელიც კი მეხსიერების ფასების ზრდას უპრეცედენტოს უწოდებს. 

Apple-მა სიტუაციის შესახებ სიფრთხილით ისაუბრა და აღნიშნა, რომ მეხსიერების ფასების ზრდა კომპანიის გარკვეული პროდუქტების წარმოების ხარჯების უმნიშვნელო ზრდას იწვევს. თუმცა, კომპანია ხაზს უსვამს, რომ ხარჯებს აკონტროლებს ძირითადად მომწოდებლებთან გრძელვადიანი კონტრაქტების წყალობით. 

Lenovo-მ და Asustek-მა გაზარდეს მეხსიერების მარაგი, რაც მათ საშუალებას მისცემს, შეინარჩუნონ სტაბილური ფასები კომპიუტერებსა და ლეპტოპებზე სულ მცირე, მიმდინარე კალენდარული წლის ბოლომდე. SK hynix-ის ხელმძღვანელობამ აღიარა, რომ უჭირთ მეხსიერებაზე გაზრდილ მოთხოვნასთან გამკლავება და ცდილობს იპოვოს გზები, რათა საუკეთესო გზით დააკმაყოფილოს ეს მოთხოვნა. Counterpoint Research-ის ანალიტიკოსები ვარაუდობენ, რომ მეხსიერების მოდულების ფასების ზრდა გაგრძელდება, სულ მცირე, მომავალი წლის მეორე კვარტალამდე. 

https://tinyurl.com/4x5v5h6v 

[Magdalena]

TeamGroup-ის გაფრთხილება: DRAM-ისა და NAND-ის დეფიციტი ახლა იწყება - ფასები 2026 წლის განმავლობაში გაიზრდება 

DRAM ბაზარზე მიმდინარე სტრუქტურულმა ცვლილებებმა, რომლებიც გამოწვეულია წარმოების სიმძლავრეების ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებისთვის მაღალსიჩქარიან HBM მეხსიერებაზე გადანაწილებით უკვე გამოიწვია მასობრივ DDR და LPDDR მეხსიერების ფასების მნიშვნელოვანი ზრდა. თუმცა, უარესი ჯერ კიდევ წინ არის, იტყობინება DigiTimes TeamGroup-ის გენერალური დირექტორის განცხადებაზე დაყრდნობით. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

მეხსიერების მოდულებისა და მყარი დისკების წამყვან მწარმოებელ TeamGroup-ის გენერალური დირექტორის, -ის erry Chen თქმით, DRAM და 3D NAND მეხსიერების ზოგიერთი კატეგორიის კონტრაქტის ფასები დეკემბერში წინა თვესთან შედარებით 80-100%-ით გაიზარდა. სპოტური ფასები მსგავს ტენდენციას აჩვენებს. DRAMeXchange-ზე 16 გბ DDR5 ჩიპის საშუალო სპოტური ფასი 20 სექტემბერს 6.84 აშშ დოლარი იყო, 19 ნოემბრისთვის ის 24.83 აშშ დოლარამდე გაიზარდა. 1 დეკემბრისთვის კი 16 გბ DDR5 ჩიპის საშუალო სპოტური ფასი 27.2 აშშ დოლარამდე გაიზარდა (სესიის მინიმალური ფასი 19 აშშ დოლარი იყო, მაქსიმალური კი - 37 აშშ დოლარი). არსებითად, 16 გბ RAM მოდულის მეხსიერების ჩიპების ღირებულება 217.6 აშშ დოლარია. PCB, აწყობა და ტესტირება, ასევე დამატებითი კომპონენტები, როგორიცაა PMIC, ფასს კიდევ 8-10 აშშ დოლარს დაამატებს. ამრიგად, 16 გბ მეხსიერების მოდულის ღირებულება ამჟამად 225-228 აშშ დოლარია, მწარმოებლის პრემიის, ლოჯისტიკისა და გადასახადების გამოკლებით. 

ჩენი ვარაუდობს, რომ DRAM-ისა და NAND-ის ხელმისაწვდომობა გაუარესდება 2026 წლის პირველ და მეორე კვარტლებში, როდესაც მეხსიერების ჩიპების მარაგი ამოიწურება. იგი გაფრთხილებას გამოთქვამს, რომ ამ დროისთვის კვოტების მიღება შეიძლება რთული გახდეს, მომხმარებლების გადახდის სურვილის მიუხედავად. ის თვლის, რომ შემსუბუქება ნელი ტემპით მოხდება: ამჟამინდელი დეფიციტი 2027 წლის ბოლომდე და შესაძლოა უფრო დიდხანსაც გაგრძელდება. 

მეხსიერების მასობრივი დეფიციტის მიზეზი კარგად არის ცნობილი: DRAM-ის მწარმოებლებს თავიანთი წარმოების სიმძლავრეები HBM-ზე გადააქვთ, რომელიც გამოიყენება ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებში, როგორიცაა Nvidia B300, ან ისეთი მსხვილი ქლაუდ სერვისების პროვაიდერების სპეციალიზებულ ამაჩქარებლებში, როგორიცაა AWS, Google და Microsoft. ეს კომპანიები, როგორც წესი, წლების მარაგს წინასწარ ამზადებენ, ამიტომ გარკვეულ მომენტში DRAM-ის მწარმოებლებს არ ექნებათ საკმარისი სიმძლავრე მასობრივი მეხსიერების მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად. 

ახალი ქარხნის ნულიდან აშენებას სულ მცირე სამი წელი სჭირდება, ამიტომ, მაშინაც კი, თუ ისეთი კომპანიები, როგორიცაა Micron, Samsung ან SK hynix, მეხსიერების წარმოების ქარხნის აშენებას დღეს გადაწყვეტენ, ის ფუნქციონირებას 2028 წლის ბოლომდე არ დაიწყებს და 2029 წლამდე სრულად არ იქნება ამოქმედებული. 

რაც შეეხება NAND-ს, მეხსიერების მომწოდებლები უპირატესობას მსხვილ მომხმარებლებს ანიჭებენ, ყველაზე ხშირად კი - ხელოვნური ინტელექტის მქონე სერვერების მწარმოებლებს. ჩენი არ ელის, რომ წარმოების სიმძლავრე 2026 წელს კომპიუტერების, სმარტფონებისა და სხვა სამომხმარებლო მოწყობილობებისთვის მასობრივი ბაზრის მეხსიერებისკენ გადაინაცვლებს, რაც გავლენას მოახდენს ამ მოწყობილობების ფასებზე. 

შედეგები უკვე აშკარაა. მომხმარებლები ხედავენ, თუ როგორ იზრდება ოპერატიული მეხსიერების ფასი შეკვეთით აწყობილი კომპიუტერებისთვის თითქმის რეალურ დროში. ზოგიერთ შემთხვევაში, 64 გბ ოპერატიული მეხსიერების ნაკრები უფრო ძვირია, ვიდრე PS5 სათამაშო კონსოლი.  

https://tinyurl.com/3y89rt9n 

 

[Magdalena]

TeamGroup-ის გაფრთხილება: DRAM-ისა და NAND-ის დეფიციტი ახლა იწყება - ფასები 2026 წლის განმავლობაში გაიზრდება 

DRAM ბაზარზე მიმდინარე სტრუქტურულმა ცვლილებებმა, რომლებიც გამოწვეულია წარმოების სიმძლავრეების ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებისთვის მაღალსიჩქარიან HBM მეხსიერებაზე გადანაწილებით უკვე გამოიწვია მასობრივ DDR და LPDDR მეხსიერების ფასების მნიშვნელოვანი ზრდა. თუმცა, უარესი ჯერ კიდევ წინ არის, იტყობინება DigiTimes TeamGroup-ის გენერალური დირექტორის განცხადებაზე დაყრდნობით. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung 

მეხსიერების მოდულებისა და მყარი დისკების წამყვან მწარმოებელ TeamGroup-ის გენერალური დირექტორის, -ის erry Chen თქმით, DRAM და 3D NAND მეხსიერების ზოგიერთი კატეგორიის კონტრაქტის ფასები დეკემბერში წინა თვესთან შედარებით 80-100%-ით გაიზარდა. სპოტური ფასები მსგავს ტენდენციას აჩვენებს. DRAMeXchange-ზე 16 გბ DDR5 ჩიპის საშუალო სპოტური ფასი 20 სექტემბერს 6.84 აშშ დოლარი იყო, 19 ნოემბრისთვის ის 24.83 აშშ დოლარამდე გაიზარდა. 1 დეკემბრისთვის კი 16 გბ DDR5 ჩიპის საშუალო სპოტური ფასი 27.2 აშშ დოლარამდე გაიზარდა (სესიის მინიმალური ფასი 19 აშშ დოლარი იყო, მაქსიმალური კი - 37 აშშ დოლარი). არსებითად, 16 გბ RAM მოდულის მეხსიერების ჩიპების ღირებულება 217.6 აშშ დოლარია. PCB, აწყობა და ტესტირება, ასევე დამატებითი კომპონენტები, როგორიცაა PMIC, ფასს კიდევ 8-10 აშშ დოლარს დაამატებს. ამრიგად, 16 გბ მეხსიერების მოდულის ღირებულება ამჟამად 225-228 აშშ დოლარია, მწარმოებლის პრემიის, ლოჯისტიკისა და გადასახადების გამოკლებით. 

ჩენი ვარაუდობს, რომ DRAM-ისა და NAND-ის ხელმისაწვდომობა გაუარესდება 2026 წლის პირველ და მეორე კვარტლებში, როდესაც მეხსიერების ჩიპების მარაგი ამოიწურება. იგი გაფრთხილებას გამოთქვამს, რომ ამ დროისთვის კვოტების მიღება შეიძლება რთული გახდეს, მომხმარებლების გადახდის სურვილის მიუხედავად. ის თვლის, რომ შემსუბუქება ნელი ტემპით მოხდება: ამჟამინდელი დეფიციტი 2027 წლის ბოლომდე და შესაძლოა უფრო დიდხანსაც გაგრძელდება. 

მეხსიერების მასობრივი დეფიციტის მიზეზი კარგად არის ცნობილი: DRAM-ის მწარმოებლებს თავიანთი წარმოების სიმძლავრეები HBM-ზე გადააქვთ, რომელიც გამოიყენება ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებში, როგორიცაა Nvidia B300, ან ისეთი მსხვილი ქლაუდ სერვისების პროვაიდერების სპეციალიზებულ ამაჩქარებლებში, როგორიცაა AWS, Google და Microsoft. ეს კომპანიები, როგორც წესი, წლების მარაგს წინასწარ ამზადებენ, ამიტომ გარკვეულ მომენტში DRAM-ის მწარმოებლებს არ ექნებათ საკმარისი სიმძლავრე მასობრივი მეხსიერების მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად. 

ახალი ქარხნის ნულიდან აშენებას სულ მცირე სამი წელი სჭირდება, ამიტომ, მაშინაც კი, თუ ისეთი კომპანიები, როგორიცაა Micron, Samsung ან SK hynix, მეხსიერების წარმოების ქარხნის აშენებას დღეს გადაწყვეტენ, ის ფუნქციონირებას 2028 წლის ბოლომდე არ დაიწყებს და 2029 წლამდე სრულად არ იქნება ამოქმედებული. 

რაც შეეხება NAND-ს, მეხსიერების მომწოდებლები უპირატესობას მსხვილ მომხმარებლებს ანიჭებენ, ყველაზე ხშირად კი - ხელოვნური ინტელექტის მქონე სერვერების მწარმოებლებს. ჩენი არ ელის, რომ წარმოების სიმძლავრე 2026 წელს კომპიუტერების, სმარტფონებისა და სხვა სამომხმარებლო მოწყობილობებისთვის მასობრივი ბაზრის მეხსიერებისკენ გადაინაცვლებს, რაც გავლენას მოახდენს ამ მოწყობილობების ფასებზე. 

შედეგები უკვე აშკარაა. მომხმარებლები ხედავენ, თუ როგორ იზრდება ოპერატიული მეხსიერების ფასი შეკვეთით აწყობილი კომპიუტერებისთვის თითქმის რეალურ დროში. ზოგიერთ შემთხვევაში, 64 გბ ოპერატიული მეხსიერების ნაკრები უფრო ძვირია, ვიდრე PS5 სათამაშო კონსოლი.  

https://tinyurl.com/3y89rt9n