Samsung-მა TSMC-ს გადააჭარბა 3-ნანომეტრიანი ჩიპების წლიური გამოშვების მოცულობით

[Magdalena]

Samsung-სა და TSMC-ს შორის კონკურენცია 3- და 4-ნანომეტრიანი ნახევრადგამტარების საკონტრაქტო წარმოების ბაზარზე მძაფრდება და Samsung-მა განაცხადა, რომ მან მიაღწია TSMC-ის მსგავს მაჩვენებლებს პროდუქციის წლიური წარმოების მხრივ - წერს კორეული გაზეთი Kukmin Ilbo. გარდა ამისა, 4-ნანომეტრიანი ტექნოლოგია იყო კომპანიის უახლესი ეტაპი FinFET ტრანზისტორების გამოყენებაში, რომელიც 16-ნანომეტრიან სტანდარტებზე გადასვლით დაიწყო. 

 

ფოტოს წყარო: news.kmib.co.kr 

Samsung Foundry-ს 4-ნანომეტრიანი კრისტალების გამოსვლა, კომპანიის განცხადებით, შეადგენს 75%-ს, TSMC-ის შემთხვევაში ეს მაჩვენებელი 80%-ია. 4-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი გამოიყენება უახლესი თაობის ცენტრალურ და გრაფიკულ პროცესორებში. ხოლო მოწინავე 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით კორეულმა კომპანიამ წინსვლა შეძლო. GAAFET ტრანზისტორების ახალ ნორმებზე გადასვლით Samsung-მა მიაღწია პროდუქციის წლიური წარმოების 60%-ს იმ დროს, როდესაც TSMC-ის მაჩვენებელი 55%-ია. 

 

ამავე დროს,  TechPowerUp აღნიშნავს, რომ Intel Foundry Services-მა გამოუშვა საკუთარი გადაწყვეტილება, რომელსაც შეუძლია კონკურენცია გაუწიოს აზიური კონტრაქტორების პროდუქტებს: Intel 3 ტექნოლოგია ფიზიკურად დაფუძნებულია 7-ნანომეტრიან FinFET ტრანზისტორებზე, თუმცა უზრუნველყოფს Samsung-ისა და TSMC-ის 3-ნანომეტრიანი ჩიპების მსგავს წარმადობას. 2024 წელს ამერიკელი მწარმოებელი გადავა GAAFET-სა და 2-ნანომეტრიან ტექნოლოგიაზე. 

https://tinyurl.com/56ahp2kw