SK hynix-მა დანერგა EUV-ლითოგრაფია ოპერატიული მეხსიერების მასიურ წარმოებაში

[Magdalena]

ოპერატიული მეხსიერების მწარმოებლებმა თანდათან გააცნობიერეს, რომ სუპერმყარი ულტრაიისფერი გამოსხივების (EUV) ლითოგრაფიის გამოყენება კომერციული თვალსაზრისით ეფექტური იქნება. SK hynix-მა დაიწყო LPDDR4 მიკროსქემების მასიური წარმოება EUV-ლითოგრაფიითა და მეოთხე თაობის 10-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. 

 

ფოტოს წყარო: SK hynix 

SK hynix-ის პროდუქტების შემთხვევაში "1a ნმ" სტანდარტებს უსწრებდა 1x, 1y და 1 z. კომპანია ირწმუნება, რომ EUV ლითოგრაფიის ნაწილობრივი დანერგვა დაიწყო ჯერ კიდევ 1- y პროცესში, მაგრამ მან მხოლოდ 1 a-ს შემთხვევაში მიაღწია ადეკვატურ სიმწიფეს მასობრივი წარმოების მასშტაბის გასაზრდელად. 1z ტექნოპროცესთან შედარებით სილიკონის ერთ ფირფიტაზე DRAM ტიპის მეხსიერების მიკროსქემების რაოდენობა 25%-ით გაიზარდა სწორედ EUV-ლითოგრაფიის დანერგვის შედეგად. 

ამჟამად წარმოებაში არსებული 8-გბ LPDDR4-4266 მიკროსქემები ფლობენ 20%-ით შემცირებულ ენერგომოხმარების დონეს. როგორც SK hynix  აღნიშნავს პრეს-რელიზში, მომდევნო წლის დასაწყისში 1a ტექნოპროცესი გამოყენებული იქნება DDR5 ტიპის მეხსიერების მიკროსქემების წარმოებაში. EUV-ლითოგრაფიის გამოყენებით დამზადებული LPDDR4 მიკროსქემები მიმდინარე წლიდან წარმოდგენილი იქნება მაღალი წარმადობის სმარტფონებში. 

https://bit.ly/3yMzP4B