Magdalena Posted June 7, 2021 Posted June 7, 2021 კომპანიის გენერალური დირექტორი C.C. Wei სიტყვით გამოვიდა ინვესტორებისა და აქციონერების წინაშე არიზონაში 12 მლრდ აშშ დოლარის ღირებულების ობიექტის მშენებლობის დაწყების შესახებ, რომელიც 2024 წლიდან 5-ნანომეტრიანი პროდუქციას გამოუშვებს. არაოფიციალური წყაროებიდან ცნობილია, რომ დამატებით ხუთამდე საწარმო შეიძლება განთავსდეს მეზობელ ადგილებში, რომლებიც აშენდება მომდევნო 10-15 წლის განმავლობაში. ეს ინფორმაცია სააგენტო Reuters-მა გაავრცელა, მისივე ცნობებით, შეერთებული შტატების ხელისუფლება დაინტერესებულია უახლოესი სამი წლის განმავლობაში TSMC-ის ექვსი საწარმოს მშენებლობით. მოსალოდნელია, რომ TSMC მოითხოვს 54 მლრდ აშშ დოლარის ნაწილს, რომელიც აშშ-ის ხელისუფლებამ გამოყო ნახევრადგამტარი წარმოების სტიმულირებისთვის. არიზონაში არსებული საწარმო შეძლებს თვეში არაუმეტეს 20 ათასი სილიკონის ფირფიტის გამოშვებას, ასე რომ ინდუსტრიაზე მნიშვნელოვანი გავლენის მოხდენას ვერ შეძლებს. ეს არის TSMC-ის ხელმძღვანელობის უფრო მეტად სიმბოლური ჟესტი, ვიდრე პროექტი ადეკვატური ეკონომიკური პერსპექტივებით. TSMC-ის ხელმძღვანელმა განაცხადა, რომ კომპანიამ შეიმუშავა 5-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის ვარიანტი, რომელიც სასარგებლო იქნება საავტომობილო სექტორის დამკვეთებისთვის, თუმცა კომპონენტების დეფიციტის მოგვარების საკითხში მასზე დაყრდნობა არ იქნება საიმედო. ხსენებულ ტექნოპროცესს დამკვეთები გამოიყენებენ, მაგალითად, ავტოპილოტირების სისტემებში გამოყენებადი პროცესორების დაპროექტებისთვის. საავტომობილო ელექტრონიკის აბსოლუტური უმრავლესობა კიდევ დიდხანს გამოიყენებს უფრო მომწიფებულ ლითოგრაფიულ ტექნოლოგიებს. TSMC არ ჩამორჩება 3-ნანომეტრიანი წარმოების მზადების გეგმასაც Fab საწარმოში, რომელიც კუნძულ ტაივანზე მდებარეობს. პროდუქციის სერიული გამოშვება დაიწყება მომდევნო წლის მეორე ნახევარში, როგორც დაგეგმილი იყო. სულ მიმდინარე წელს წარმოების გაფართოებაზე კომპანია დახარჯავს 30 მლრდ აშშ დოლარს, უახლოესი სამი წლის მანძილზე კი ამ საჭიროებისთვის გამოიყოფა 100 მლრდ აშშ დოლარი. https://bit.ly/2TpLffd Quote
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.