Samsung Electronics-მა წარადგინა ინდუსტრიაში პირველი DDR5 მოდული 512 გბ მოცულობით

[Magdalena]

მოდული დამზადებულია High-K Metal Gate (HKMG) და Through Silicon Via (TSV) ტექნოლოგიების გამოყენებით. HKMG ტექნოლოგია Samsung-მა პირველად დანერგა GDDR6 მეხსიერებაში 2018 წელს, იგი საშუალებას იძლევა შემცირდეს ძაბვის გაჟონვა მაღალი გამტარობის დიელექტრიკებისა და ლითონის ჩამკეტების გამოყენებით. 

  

გამჭოლი კავშირის ტექნოლოგია TSV-ის მეშვეობით შესაძლებელი გახდა მოდულზე განთავსებულიყო 16 გბ მოცულობის DRAM მიკროსქემების რვა ნაკრები და უზრუნველყოფილ იქნა მოდულის მაქსიმალური მოცულობა - 512 გბ. TSV ტექნოლოგია პირველად გამოყენებულ იქნა 2014 წელს, როდესაც Samsung-მა წარადგინა 256 გბ მოცულობის სერვერული მოდულები. ახალი ტიპის მეხსიერება საჭიროებს 13%-ით ნაკლებ ენერგიას, რაც განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია მონაცემთა დამუშავების ცენტრებისთვის, რომელთაც ენერგოეფექტურობის უფრო მკაცრი მოთხოვნები აქვთ. 

Samsung-ის DDR5 მოდულის სიჩქარე მიაღწევს 7200 მბ/წმ-ს, რაც უზრუნველყოფს წარმადობის მნიშვნელოვან ზრდას მძიმე სამუშაო დატვირთვისას, რაც უკავშირდება ხელოვნურ ინტელექტს, მანქანურ სწავლებასა და დიდი მოცულობის მონაცემთა ანალიზის სხვა ამოცანებს. 

https://bit.ly/3fdmWu4 

[Davidsikh]

---