Samsung-ი 2022 წლისთვის გეგმავს შექმნას 3-ნანომეტრიანი საწარმოო პროცესი ახალი თაობის ტრანზისტორებით

[Magdalena]

როგორც ცნობილია, კომპანია Samsung იმედოვნებს, რომ 2022 წელს დაიწყებს კრისტალების წარმოებას 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის საფუძველზე, ამასთან გაუმჯობესდება თავად ტრანზისტორების აგების ტექნოლოგია. კომპანია უკვე მუშაობს თავის ახალ ტექნოლოგია Gate-All-Around FET-ზე, რომლის მეშვეობით უკეთ უნდა გაკონტროლდეს ტრანზისტორების არხი და აღმოიფხვრას ძაბვის გაჟონვა მცირე ზომის კვანძებში.  

კომპანიამ ამჟამად ისაუბრა ახალი ტექნოლოგია Multi Bridge Channel FET-ის გარკვეული განსაკუთრებული მახასიათებლების შესახებ, რომლის რეალიზაცია იგეგმება უახლესი 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესით. რესურს Hardwareluxx-ის წყალობით ცნობილი გახდა MBCFET ტექნოლოგიის შესახებ გარკვეული ინფორმაცია. 

 

 

პირველი, რაზეც ყურადღება უნდა გამახვილდეს ის არის, რომ  MCBFET ტექნოლოგია არის GAAFET-ის ნაწილი, ეს კი იმას ნიშნავს, რომ ეს უკანასკნელი არის არა ერთი პროდუქტი, არამედ მოცემულ ტექნოლოგიაზე დამყარებული კონცეფციების მთელი სისტემა. MCBFET-ის წარმადობას რაც შეეხება, Samsung-ი ამტკიცებს, რომ ხსენებულ ტექნოლოგიაზე დამყარებული პროდუქტები 50 %-ით უფრო ენერგოეფექტურია და 30 %-ით მეტი წარმადობის მქონე. თანაც ჩიპების წყობა უფრო მჭიდროა და კომპანია პროგნოზირებს, რომ ერთ ტრანზისტორს 45%-ით ნაკლები სივრცე დასჭირდება. უცნობია კონკრეტულად რომელი 7-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესით მოხდა ეს შედარება, შესაძლოა ეს იყოს Samsung-ის FinFET-ტექნოპროცესი. ტექნოლოგია საშუალებას იძლევა ტრანზისტორები ერთიმეორეზე დაეწყოს, რისი წყალობით შესაძლებელი ხდება ჩვეულებრივ FinFET-თან შედარებით გაცილებით ნაკლები ადგილის გამოყენება. ის ფაქტი, რომ MCBFET-ით  ტრანზისტორების სიგანე მოქნილი ხდება, ნიშნავს, რომ ტრანზისტორების ჯამური ზომა შესაძლოა იყოს იმდენად ფართო, რამდენადაც ეს ჩიპის დიზაინისთვის იქნება საჭირო ნებისმიერ შემთხვევაში, მათ შორის დაბალი ენერგომოხმარებისა და მაღალი წარმადობის პირობებში. 

https://overclockers.ru/blog/goldas/show/35646/samsung-v-2022-godu-planiruet-sozdat-3-nm-proizvodstvennyj-process-s-pomoschju-tranzistorov-novogo-pokoleniya