Samsung-ის წარმატება 3-ნანომეტრიან ტექნოპროცესში

[Magdalena]

სამხრეთკორეულმა კომპანია Samsung Electronics-მა ერთ-ერთ კორპორატიულ წვეულებაზე განაცხადა, რომ მწარმოებლებისათვის უკვე ხელმისაწვდომია ინსტრუმენტები, რომელთა მეშვეობითაც შესაძლებელია 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით მოხდეს ინოვაციური სივრცითი სტრუქტურის მქონე ტრანზისტორების გამოშვება. აღწერილი მიდგომის სხვადასხვა ვარიაციით გამოყენება მოიაზრება TSMC-სა და Intel-ის მიერაც, თუმცა Samsung-ი მათ მინიმუმ მთელი წლით უსწრებს წინ. 

 

ფოტოს წყარო: Samsung Electronics 

ტრანზისტორების ახალ სტრუქტურას Samsung-მა უწოდა Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), იგი გამოსახულია ილუსტრაციაზე უკიდურეს მარჯვენა ნაწილში.  

3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი MBCFET-ის გამოყენებით საშუალებას იძლევა 45%-ით შემცირდეს კრისტალების ფართობი 7-ნანომეტრიან ტექნოპროცესთან შედარებით, ამასთან, ენერგომოხმარების დონე ორჯერ მცირდება. შესაძლებელია ტრანზისტორების სწრაფადმოქმედების დონის ამაღლება 35%-ზე ენერგომოხმარების იმავე დონის ფარგლებში. 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით დამზადებული ციფრული პროექტების პროტოტიპები Samsung-ს უკვე აქვს, კომპანია აპირებს კიდევ უფრო დახვეწოს და გააუმჯობესოს 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის მახასიათებლები. 

მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში Samsung-ი გეგმავს გამოუშვას 6-ნანომეტრიანი პროდუქტების სერიული წარმოება და დაასრულოს 4-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის შემუშავება. მომდევნო წლის პირველ ნახევარში დაიწყება 5-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით წარმოებული ნაკეთობების მასობრივი გამოშვება. 3-ნანომეტრიანი პროდუქტების წარმოება ათვისებული იქნება 2021 წლისათვის, ეს იქნება დაბალი დონის ენერგომოხმარების პროდუქტები. მათზე უფრო მძლავრი პროდუქტების წარმოება ხსენებული 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესით დაიწყება 2022 წლიდან. Samsung-ის წარმომადგენლების თქმით, ტრანზისტორების ახალი სტრუქტურა საშუალებას იძლევა შეიქმნას 2-ნანომეტრიანი პროდუქტებიც. რომელი ტექნოლოგიით მიაღწევს Samsung-ი 1-ნანომეტრიან ტექნოპროცესამდე - კომპანიას ჯერ არ გადაუწვეტავს, თუმცა დარწმუნებულია, რომ ეს ბარიერიც გადალახული იქნება. 

https://overclockers.ru/hardnews/show/97195/samsung-podelilas-uspehami-v-osvoenii-3-nm-tehprocessa