Qualcomm Quick Charge 5.0 - კომპანიის მცდელობა - დაეწიოს კონკურენტებს

[Magdalena]

ამ დროისათვის Qualcomm-ის სწრაფი დატენვის ბოლო ვერსია არის Quick Charge 4+, რომელიც უზრუნველყოფს სიმძლავრეს 18 ვატამდე. ეს ტექნოლოგია განკუთვნილია ისეთი მობილური პლატფორმებისთვის, როგორებიცაა Snapdragon 660, Snapdragon 670, Snapdragon 710 და Snapdragon 845. უახლესი ინფორმაციის თანახმად, რომელიც გამოცხადებულ იქნა ჰონკონგში Qualcomm-ის სამიტზე, კომპანია უკვე მუშაობს შემდეგი თაობის ტექნოლოგიაზე, რომელიც უზრუნველყოფს სწრაფ დატენვას 32 ვატამდე სიმძლავრეზე. 

უნდა აღინიშნოს, რომ კონკურენტი მწარმოებლები მომხმარებლებს სთავაზობენ დატენვის უფრო მაღალ სიმძლავრეებს. მაგალითად, SuperCharge  - Huawei-სგან უზრუნველყოფს 40 ვატს, Super VOOC ტექნოლოგია - OPPO-სგან - 50 ვატს, mCharge – Meizu-სგან კი უზრუნველყოფს თითქმის 55 ვატიან დატენვას. Qualcomm-ის წარმომადგენლობის თქმით, მისი მომავალი თაობის სწრაფი დატენვის რეჟიმი დაფუძნებული იქნება სამკამერიან სისტემაზე, რომელიც უზრუნველყოფს 32 ვატიან სიმძლავრეს, უსადენო დატენვის შემთხვევაში კი -  15 ვატიანს. როგორც სათაურიდან უკვე მიხვდით, ახალი ტექნოლოგიის სახელწოდება იქნება Quick Charge 5.0. 

 

ამჟამად არსებული Quick Charge 4+ ტექნოლოგიის მიხედვით, კვების ხაზი გაყოფილია ორად - ერთის ნაცვლად. როგორც მწარმოებელი აცხადებს, ეს მეთოდი არა მარტო აჩქარებს დატენვის სისწრაფეს, არამედ ხელს უშლის მოწყობილობის გადახურებას: QC 4+ ტექნოლოგია აკონტროლებს მოწყობილობის ტემპერატურას დატენვის დროს და არ აძლევს გადახურების საშუალებას. ამის წყალობით, დატენვის სისწრაფე მატულობს 15 %-ით. Quick Charge 5.0 იქნება QC 4+ ტექნოლოგიის ევოლუციური განვითარება. მის შემთხვევაში უკვე გამოყენებული იქნება კვების სამი ხაზი ნაცვლად ორისა. 

მოსალოდნელია, რომ Quick Charge 5.0 გამოჩნდება Snapdragon 855-ზე, რომლის წარდგენაც მიმდინარე წლის ბოლომდე მოხდება. ჩიპსეტის შესახებ ზუსტი მონაცემები არ არის. ცნობილია მხოლოდ ის, რომ იგი წარმოებულ იქნება 7 ნანომეტრიან ტექნოპროცესზე და კონკურენციას გაუწევს სხვა 7 ნანომეტრიან ჩიპებს, მაგალითად, Apple A12-სა და Kirin 980-ს. 

https://bit.ly/2CUEtnB