Magdalena Posted July 17, 2021 Share Posted July 17, 2021 ნახევრადგამტარ ინდუსტრიაში ლითოგრაფიული ნორმების ერთიანი კლასიფიკაცია არ არსებობს, რაც ბაზრის მონაწილეებს საშუალებას აძლევს თვითნებურად მიანიჭონ ეს თუ ის ტექნოპროცესი გარკვეულ კლასს. მაგალითად, Intel აცხადებს, რომ მისი 10-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი თავისი გეომეტრიული მახასიათებლებით TSMC-ის 7-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის ეკვივალენტურია. 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის შემთხვევაში Intel-ის უპირატესობა ტრანზისტორების სიმჭიდროვის კუთხით Samsung-თან შედარებით სამჯერ გაიზრდება. ფოტოს წყარო: TSMC ანალოგიურ დასკვნამდე მიდის DigiTimes Asia-ს პრეზიდენტი Colley Hwang თავის ერთ-ერთ სტატიაში, რომელშიც განიხილავდა TSMC-ის კონკურენტულ უპირატესობებს. როგორც ავტორი განმარტავს, 10-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში TSMC-მა და Samsung-მა შეძლეს კრისტალის ფართობზე კვადრატულ მილიმეტრზე დაახლოებით 52-53 მილიონი ერთეული ტრანზისტორის განთავსება. ამ საკითხში Intel შესამჩნევად წინ არის და უზრუნველყოფს კვადრატულ მილიმეტრზე 106 მილიონი ერთეულის განთავსებას. ფაქტობრივად, Intel-ის 10-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის მახასიათებლები აღემატებოდა TSMC-ისა (97 მლნ) და Samsung-ის (95 მლნ) 7-ნანომეტრიან ტექნოლოგიებს. მოსალოდნელია, რომ 7-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში Intel მიაღწევს კვადრატულ მილიმეტრზე 180 მილიონი ტრანზისტორის განთავსების შესაძლებლობას. ფოტოს წყარო: DigiTimes შემდგომი ნაბიჯი იქნება 5-ნანომეტრიანი ტექნოლოგია, რომელშიც Intel აპირებს ტრანზისტორების სიმჭიდროვის გაზრდას კვადრატულ მილიმეტრზე 300 მლნ ერთეულამდე, TSMC 173 მლნ ტრანზისტორით უკვე უსწრებს Samsung-ს (127 მლნ ). 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესი აღსანიშნავია იმით, რომ Samsung მისი ათვისების პირობებში ელის კვადრატულ მილიმეტრზე 170 მილიონი ტრანზისტორის გალაგების შესაძლებლობის მიღწევას, Intel კი ამ ბარიერს 7-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში მოახერხებს. რეალურად, Intel-ის 7-ნანომეტრიან, TSMC-ის 5-ნანომეტრიან და Samsung-ის 3-ნანომეტრიან ტექნოლოგიებს ექნებათ ერთნაირი გეომეტრიული მახასიათებლები. 3-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესის მახასიათებლებს თუ დავუბრუნდებით, უნდა აღინიშნოს, რომ Intel-ისთვის იგი უზრუნველყოფს კვადრატულ მილიმეტრზე 520 მლნ ერთეული ტრანზისტორის განთავსებას - ამ დონეს TSMC ვერ მიაღწევს 2-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიის ფარგლებში - თუკი DigiTimes Asia-ს პრეზიდენტის პროგნოზს დავუჯერებთ. პრობლემა ის არის, რომ ტექნოპროცესის ციფრული დასახელება თანამედროვე პირობებში არ იძლევა ზუსტ წარმოდგენას მახასიათებლებზე. Intel-ში ეს პრობლემა უკვე გააცნობიერეს, ამიტომ პროცესორების მწარმოებელმა კომპანიამ შესაძლოა მომავალში შემოგვთავაზოს საკუთარი ლითოგრაფიული ნორმების აღნიშვნის ახალი სისტემა. არ არის გამორიცხული, რომ ერთგვარი „ლითოგრაფიული დენომინაციის“ განხორციელების შესახებ Intel-ის წარმომადგენლებმა ისაუბრონ 26 ივლისისთვის დაგეგმილ პროფილურ ღონისძიებაზე. https://bit.ly/3rgcQMY Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.