Magdalena Posted March 27, 2021 Share Posted March 27, 2021 მოდული დამზადებულია High-K Metal Gate (HKMG) და Through Silicon Via (TSV) ტექნოლოგიების გამოყენებით. HKMG ტექნოლოგია Samsung-მა პირველად დანერგა GDDR6 მეხსიერებაში 2018 წელს, იგი საშუალებას იძლევა შემცირდეს ძაბვის გაჟონვა მაღალი გამტარობის დიელექტრიკებისა და ლითონის ჩამკეტების გამოყენებით. გამჭოლი კავშირის ტექნოლოგია TSV-ის მეშვეობით შესაძლებელი გახდა მოდულზე განთავსებულიყო 16 გბ მოცულობის DRAM მიკროსქემების რვა ნაკრები და უზრუნველყოფილ იქნა მოდულის მაქსიმალური მოცულობა - 512 გბ. TSV ტექნოლოგია პირველად გამოყენებულ იქნა 2014 წელს, როდესაც Samsung-მა წარადგინა 256 გბ მოცულობის სერვერული მოდულები. ახალი ტიპის მეხსიერება საჭიროებს 13%-ით ნაკლებ ენერგიას, რაც განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია მონაცემთა დამუშავების ცენტრებისთვის, რომელთაც ენერგოეფექტურობის უფრო მკაცრი მოთხოვნები აქვთ. Samsung-ის DDR5 მოდულის სიჩქარე მიაღწევს 7200 მბ/წმ-ს, რაც უზრუნველყოფს წარმადობის მნიშვნელოვან ზრდას მძიმე სამუშაო დატვირთვისას, რაც უკავშირდება ხელოვნურ ინტელექტს, მანქანურ სწავლებასა და დიდი მოცულობის მონაცემთა ანალიზის სხვა ამოცანებს. https://bit.ly/3fdmWu4 1 Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Davidsikh Posted March 29, 2021 Share Posted March 29, 2021 --- Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.