Magdalena Posted July 6, 2020 Share Posted July 6, 2020 კორეული პორტალი news.mtn.co.kr აცხადებს, რომ კომპანია Samsung Electronics-მა გამოფენა Nano Korea-ზე წარადგინა 3-ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით დამზადებული სილიკონის ფირფიტა. ეს გახლავთ პირველი შემთხვევა, როდესაც 3-ნანომეტრიანი ფირფიტა წარდგა ხალხის წინაშე. წარმოდგენილი ფირფიტა დამზადებულია GAA (Gate-All-Around) ტექნოლოგიით, ჰორიზონტალურად განლაგებული არხებითა და შემოსაზღვრული ჩამკეტით, რაც საშუალებას იძლევა გადაილახოს ის შეზღუდვები, რაც წარმოიქმნება ნახევრადგამტარი პროდუქტების ზომის შემცირების პროცესში. ეს არის მომდევნო თაობის ტრანზისტორების სტრუქტურა, რომელიც ევოლუციურად მომდევნო ნაბიჯია FinFET სტრუქტურის შემდეგ. ეს უკანასკნელი თანამედროვე ნახევრადგამტარ პროდუქტებში გამოიყენება. 5-ნანომეტრიან ტექნოპროცესთან შედარებით, რომელიც ამჟამად შემუშავების სტადიაშია, 3-ნანომეტრიან პროცესს შეუძლია შეამციროს მიკროსქემების ფართობი 35 %-ზე მეტად, ენერგომოხმარება კი - შემცირდეს 50 %-ით, წარმადობა გაუმჯობესდება 30 %-ით. ამჟამად მხოლოდ Samsung Electronics და TSMC არიან მზად 5-ნანომეტრიანი და უფრო თხელი ტექნოპროცესით ფირფიტების წარმოებისთვის. ეს ორი კომპანია ერთმანეთს აქტიურ კონკურენციას უწევს 3-ნანომეტრიანი ბაზრის დასაკავებლად. უნდა აღინიშნოს, რომ TSMC გააგრძელებს FinFET ტიპის 3-ნანომეტრიანი ტრანზისტორების წარმოებას, ამიტომ Samsung Electronics-ს აქვს შანსი - მიიღოს მეტი შეკვეთა უფრო ეფექტური ტექნოლოგიისთვის და გაუსწროს TSMC-ს, თუკი წარმოების დაწყებას არ დააგვიანებს. https://bit.ly/2Dc0T65 Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
George Posted July 6, 2020 Share Posted July 6, 2020 ორჯერ დაიპოსტა ეტყობა, მეორე დუბლიკატი თემა წავშალე Quote Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.