Jump to content

DDR-ის ანა-ბანა და ტაიმინგები


Recommended Posts

8Gb Corsair Vengance 1600იანი და Kingston hiperX 8Gb 1333იანი

ერთად დაჯამდება და 16 იქნება თუ არ იმუშავებს?

სამსახურის კომპიუტერზე აყენია 2  8იანი Corsair და რაჯანდაბათ უნდათ16GB  ვერ ვხვდები, ამიტომ ვიფიქრე ერთს ამოვაცლი ჩემსას ჩავუყენებ და ჩემ 8იან Kingstonს აქ სამსახურისაზე დავაყენებთქო და რასფიქრობთ აბა, ღიირს?

Link to comment
Share on other sites

  • Replies 314
  • Created
  • Last Reply

Top Posters In This Topic

Meno93,

იმუშავებს კი, კორსაირი ჯობია

 

ისე კი მაგ სისტემაზე ისედაც დაბალი გამტარობა აქვს ოპერებს და 1333-იანი ოპერა თუ გაქვს ისიც მარტო ერთი პლანკა, წარმომიდგენია რა გამტარობა ექნება, BF4-ში რომ წერდი დროდადრო ჩავარდნები აქვსო, ერთერთი მიზეზი ეგ იქნება :)

  • Upvote 1
Link to comment
Share on other sites

  • 3 months later...

გაუმარჯოს!   მინდა ვიყიდო 2x4 ან 2X8  DDR3 2100 ან 2400 სიხშირით. რაც ვნახე რაიმინგები მაგალითად 10-11-13-31 ან მაგის ზემოთ აქვს. მაინტერესებს მაქსიმალური და მინიმალური ზღვრები ნომრლაურ ვარიანტში.  რამდენიანი არ უნდა ვიყიდო და რა ტაიმინგებია ნორმალური.

Link to comment
Share on other sites

  • 8 months later...

გამარჯობათ,

მაქვს ეს დედაპლატა:

https://www.asus.com/Motherboards/P8B75V/ რომელსაც ავს ასეთი სიხშირეების მხარდაჭერა  4 x DIMM, Max. 32GB, DDR3 2200(O.C.)/2133(O.C.)/2000(O.C.)/1866(O.C.)/1600/1333/1066 MHz Non-ECC, Un-buffered Memory

და პროცესორი: http://ark.intel.com/products/53428/Intel-Core-i3-2130-Processor-3M-Cache-3_40-GHz რომელსაც უწერია  DDR3 1066/1333

რომ გმოვიწერო 1866 მეგაჰერციანი ოპერები აზრი აქვს? იმუშავებს რეალურად მაგ სიხშირეზე თუ პროცესორი დაალიმიტებს?

 

Link to comment
Share on other sites

11 hours ago, gtsetsadze said:

გამარჯობათ,

მაქვს ეს დედაპლატა:

https://www.asus.com/Motherboards/P8B75V/ რომელსაც ავს ასეთი სიხშირეების მხარდაჭერა  4 x DIMM, Max. 32GB, DDR3 2200(O.C.)/2133(O.C.)/2000(O.C.)/1866(O.C.)/1600/1333/1066 MHz Non-ECC, Un-buffered Memory

და პროცესორი: http://ark.intel.com/products/53428/Intel-Core-i3-2130-Processor-3M-Cache-3_40-GHz რომელსაც უწერია  DDR3 1066/1333

რომ გმოვიწერო 1866 მეგაჰერციანი ოპერები აზრი აქვს? იმუშავებს რეალურად მაგ სიხშირეზე თუ პროცესორი დაალიმიტებს?

 

ჩემ პროცესორზე ინტელი 1600 იძლევა გარანტიას რო იმუშავებს ,თუმცა 2400 დადგა მშვენივრად,ასე რომ უნდა ნახე ისე ძნელია გამოცნობა

Link to comment
Share on other sites

ჩემს 775 სოკეტზე დდრ3 1333 მუშაობს, ( ბიოსი ბოლო ვერსია მიყენია ) 1600 -ანი არა.

Link to comment
Share on other sites

  • 4 weeks later...
Link to comment
Share on other sites

Link to comment
Share on other sites

  • 5 months later...

გამარჯობათ ფორუმელებო. მაინტერესებს ECC ოპერების და ჩვეულებრივის სლოტებში თუ არის განსხვავება? მაგალითად მაქვს დედაპლატა 1155 სოკეტზე, შიძლება იაფად დავითრიო E3 1245 v2 პროცესორი რომელსაც აქვს ECC memory მხადაჭერა და მაინტერესებს დედაპლატაზე თუ წავა.

Link to comment
Share on other sites

  • 3 weeks later...
Link to comment
Share on other sites

  • 3 weeks later...
Link to comment
Share on other sites

  • 3 months later...

4გბ ოპერატიულს რომ 8 გბ მივუსვა დუალ ჩენელში იმუშავებს?
ოღონდ ტაიმინგები და ვოლტაჟი რომ დავამთხვიო რა თქმა უნდა.

Link to comment
Share on other sites

On 2/7/2017 at 5:37 PM, sauron said:

4გბ ოპერატიულს რომ 8 გბ მივუსვა დუალ ჩენელში იმუშავებს?
ოღონდ ტაიმინგები და ვოლტაჟი რომ დავამთხვიო რა თქმა უნდა.

არ იმუშავებს დუალ ჩენელში და თანაც სიხშირე ყველაზე დაბალი და ტაიმინგები ყველაზე მაღალი რომელ მოდულსაც  აქვს,
იმაზე დადგება ავტომატურად ორივე, ვოლტიც ავტომატურად დადგება ყველაზე დაბალ DDR3 -ის შემთხვევაში 1.5 ვოლტზე.

Link to comment
Share on other sites

16 hours ago, kakha77777 said:

არ იმუშავებს დუალ ჩენელში და თანაც სიხშირე ყველაზე დაბალი და ტაიმინგები ყველაზე მაღალი რომელ მოდულსაც  აქვს,
იმაზე დადგება ავტომატურად ორივე, ვოლტიც ავტომატურად დადგება ყველაზე დაბალ DDR3 -ის შემთხვევაში 1.5 ვოლტზე.

ვეღარ გავიგე, ზოგმა კიო, ზოგმა არაო.

ანუ განსხვავებული მწარმოებლები რომ იყოს ორივე, მაგრამ ვოლტაჟი, სიხშირე და ტაიმინგები ერთნაირი ჰქონდეს, მაგალითად ორივეს1.65ვ, 1333მჰზ ცლ9.

მაინც არ იმუშავებს დუალში?

Link to comment
Share on other sites

1 hour ago, sauron said:

ვეღარ გავიგე, ზოგმა კიო, ზოგმა არაო.

ანუ განსხვავებული მწარმოებლები რომ იყოს ორივე, მაგრამ ვოლტაჟი, სიხშირე და ტაიმინგები ერთნაირი ჰქონდეს, მაგალითად ორივეს1.65ვ, 1333მჰზ ცლ9.

მაინც არ იმუშავებს დუალში?

აბსოლიტურად ყველა კომპონენტი თუ მსგავსი აქვთ მწარმოებლის გარდა დიდი ალბათობით იმუშავებს.

Link to comment
Share on other sites

  • 2 months later...

სალამი მაინტერესებს 6 გბ რამ და 8 გბ რამს შორის დიდი განსხვავება თუ არის თამაშებში?

Link to comment
Share on other sites

1 hour ago, pepsiko said:

სალამი მაინტერესებს 6 გბ რამ და 8 გბ რამს შორის დიდი განსხვავება თუ არის თამაშებში?

ახალ იგრებიში უკვე 8გბ იც ცოტაა, 6 ზე საუბარი ზედმეტია 

Link to comment
Share on other sites

On 2/11/2017 at 10:17 AM, sauron said:

ვეღარ გავიგე, ზოგმა კიო, ზოგმა არაო.

ანუ განსხვავებული მწარმოებლები რომ იყოს ორივე, მაგრამ ვოლტაჟი, სიხშირე და ტაიმინგები ერთნაირი ჰქონდეს, მაგალითად ორივეს1.65ვ, 1333მჰზ ცლ9.

მაინც არ იმუშავებს დუალში?

თუ არ გასინჯე პრქტიკულად ისე ზუსტად ვერავინ გეტყვის.

პს: თუ ყველაფერმა კარგად ჩიარა ( 99 % ასეც იქნება) ავტომატურად 1333 -დადგება ორივე 11XX სოკეტებზე ( თუ 775 სოკეტის 7XXX ან უფრო სუსტი პროცესორი არაა, თუ არის მაშინ 1066 ან 800 -ზე დადგება, ფსბ -ს გაჩნია ) და მერე უნდა დაარაზგონო რა სიხშირეზც გინდა.

1 hour ago, pepsiko said:

სალამი მაინტერესებს 6 გბ რამ და 8 გბ რამს შორის დიდი განსხვავება თუ არის თამაშებში?

თუ Full HD ან 4K -თი თამაშობ მაშინ  სხვაობას მოგცემს, თამაშასაც გააჩნია კიდე.
დაბალ განზომილებაზე ნაკლებად იგრძნობ სხვაობას.

Link to comment
Share on other sites

GDDR6 არც კი ვიცოდი თუ შემუშავებაში იყო და საერთოდ თუ იარსებებდა

https://www.overclock3d.net/news/memory/sk_hynix_s_gddr6_memory_will_release_in_2018/1

როგორც ჩანს მომავალ წელს ვიხილავთ

 

Link to comment
Share on other sites

3 hours ago, Fatal Fighter said:

GDDR6 არც კი ვიცოდი თუ შემუშავებაში იყო და საერთოდ თუ იარსებებდა

https://www.overclock3d.net/news/memory/sk_hynix_s_gddr6_memory_will_release_in_2018/1

როგორც ჩანს მომავალ წელს ვიხილავთ

 

ჰოო... მეგონა GDDR5X შესაძლებლობის ზღვარი იყო, სადაც GDDR6 გამოვა, იქ GDDR7-იც გამოვა ისეთი პირი უჩანს :D

AMD Navi-ში ახალ შემდეგი თაობის მეხსიერებას ვიხილავთ, საინტერესოა კიდე რა ალტერნატივა შექმნეს

Link to comment
Share on other sites

მე უფრო მაინტერესებს ტეხპროცესის ზღვარი რამდენი ნანომეტრი იქნება, 4 ნანომდე ჩამოვლენ ნეტა თუ ეგ უკვე მეტისმეტია ვიდეოკარტისთვის, ეხლა უკვე 14 ნანომდე მივიდნენ ამდ-ზე და 16 ნვიდია ამ ეტაპზე

Link to comment
Share on other sites

On 4/24/2017 at 4:14 AM, George said:

მე უფრო მაინტერესებს ტეხპროცესის ზღვარი რამდენი ნანომეტრი იქნება, 4 ნანომდე ჩამოვლენ ნეტა თუ ეგ უკვე მეტისმეტია ვიდეოკარტისთვის, ეხლა უკვე 14 ნანომდე მივიდნენ ამდ-ზე და 16 ნვიდია ამ ეტაპზე

ალბათ შესაძლებელია, განვითარების ტენდენცია მუდმივად უცვლელია, უფრო მეტად ენერგო ეფექტური, უფრო მეტად მცირე, უფრო მეტად ძლიერი, ეს სამი კომპონენტი ნაწილობრივ უმჯობესდება, თუმცა ალბათ მივლენ ფიზიკურ ზღვრამდე და დასჭირდებათ ახალი ქიმიური ელემენტები რათა განავითარონ ეს მიმართულებები.

ჯერ-ჯერობით GLOBALFOUNDRIES იყენებს Samsung-ის მიერ შექმნილ 14nm LPP FinFET ტექნოლოგიას. მათ შორის მოხდა სტრატეგიული ხელშეკრულების დადება და მხოლოდ კორეასა და ამერიკაში იწარმოება 14nm LPP FinFET ტექნოლოგიის ჩიპები.

თავიდან სამსუნგმა 2015 წლის პირველ კვარტალში, მსოფლიოში პირველად გამოუშვა 14nm LPE ტექნოლოგია, რომლის პირველი SoC გახლდათ Exynos 7. შემდეგ გამოუშვა მეორე თაობის 14nm LPP ტექნოლოგია, რომელის პერფორმანსიც 10%-ით გაიზარდა და ამის ტექნოლოგიის პირველი პროდუქცია იყო Exynos 8. ამის შემდეგ უკვე ლიცენზია აიღო  Qualcomm-მა და გამოვიდა მისი Snapdragon 820 SoC-ები ამავე ტექნოლოგიით. როგორც სამსუნგი უწოდებს, ყველაზე საუკეთესო 14nm LPP FinFET ტექნოლოგია არისო და სამსუნგი კვლავ გააგრძელებს ამ მიმართულებით ლიდერობას. ისევე როგორც სხვა SoC-ები, AMD-ს ჩიპებიც 14nm LPP FinFET ტექნოლოგიაზეა, რაიზენი, პოლარისი და ვეგა.

Samsung and GLOBALFOUNDRIES Forge Strategic Collaboration to Deliver Multi-Sourced Offering of 14nm FinFET Semiconductor Technology

14nm FinFET Technology

14LPP 14nm FinFET Technology

ეს თავად სამსუნგის მიერ წარმოდგენილი სხვაობა 14 nm, LPE vs LPP

 

 

ცოტა ხნის წინ, სამსუნგმა დაანონსა 10nm LPP FinFET მეორე თაობის ტექნოლოგიის დასრულება, რომელიც მზადაა ფართო მოხმარებაში პროდუქციაში ჩასაშვებად.

Samsung Completes Qualification of its 2nd Generation 10nm Process Technology

სამსუნგი როდესაც გადადის კიდევ უფრო მცირე ნანომეტრზე, პირველად აკეთებს LPE ტექნოლოგიასა, შემდეგ აუმჯობესებს იმავე ნანომეტრს და უკვე ჰქვია LPP. შესაბამისად LPP გაუმჯობესებული ვარიანტია.

ეს იმას ნიშნავს რომ, თუკი სამსუნგი მისცემს ლიცენზიას სხვა ფირმებს, დღესვე შეიძლება 10nm-ზე CPU, GPU და ნებისმიერი SoC ჩიპის წარმოება.

სამსუნგი ამ მხრივ მართლაც გამოირჩევა. ერთია როცა ფურცელზე ქმნი და მეორე როდესაც უკვე გასაყიდად ამზადებ. შეიძლება ალბათ არის კიდევ სხვა დიდი კომპანიები, რომლებიც ჯერ ფურცელზე ჰქმნიან იდეებს, ხოლო სამსუნგის შემთხვევაში იდეას ფურცელზე არ ტოვებენ და რეალურად რასაც ჰქმნიან ახორციელებენ კიდევაც.

 

 

რაც შეეხება კონკრეტულად მეხსიერების ჩიპებს, სამსუნგი წარმოადგენს 8nm და 6nm ტექნოლოგიებს მაისის თვეში.

Samsung to unveil details of 8, 6-nanometer microchips in May

 

  • Upvote 2
Link to comment
Share on other sites

8 hours ago, lasha1616 said:

ცოტა ხნის წინ, სამსუნგმა დაანონსა 10nm LPP FinFET მეორე თაობის ტექნოლოგიის დასრულება, რომელიც მზადაა ფართო მოხმარებაში პროდუქციაში ჩასაშვებად.

ცოტა ვერ გავერკვია თემაში და 10 ნმ რისი ტექნოლოგია იქნება?ახალი თაობის პროცესორების?ტელეფონებისთვის თუ რისთვის?ანუ ჩიპზე საუბარი ;)

Link to comment
Share on other sites

5 hours ago, 2jzgte said:

ცოტა ვერ გავერკვია თემაში და 10 ნმ რისი ტექნოლოგია იქნება?ახალი თაობის პროცესორების?ტელეფონებისთვის თუ რისთვის?ანუ ჩიპზე საუბარი ;)

10 ნანომეტრი არის სიგრძის საზომი ერთეული, როგორც მილიმეტრი, სანტიმეტრი, მეტრი და ა.შ.

ტრანზისტორების ზომა რაც პატარაა მით უკეთესია, თუმცა ეს ყველა ტრანზისტორზე არ ითქმის.

ტრანზისტორი არსებობს ბევრნაირი, სხვადასხვა ამხასიათებლებით და სხვადასხვა დანიშნულებით.

 

ჩიპების შემთხვევაში მანდ გამოიყენება კონკრეტული ტრანზისტორები, რომლებსაც განსახვავებული პარამეტრები გააჩნიათ სხვა ტრანზისტორებთან შედარებით.

სამსუნგმა  შექმნა ისეთი ტექნოლოგია რომელიც ჩიპებისთვის საჭირო ტრანზისტორებს 10 ნანომეტრზე დაამზადებს. დამზადების ტექნოლოგიებიც განსხვავდება ერთმანეთისაგან. ყველა ტრანზისტორი ერთნაირად არ მზადდება. ზოგს სხვა ქიმიური შემადგნელობა აქვს, ზოგს სხვა. დღეს ჩიპებში 3D FinFET ტექნოლოგიის ტრანზისტორები გამოიყენება და სამსუნგმა უკვე 10nm LPP FinFET ტექნოლოგია შეიმუშავა.

პროცესორები და ვიდეო ბარათები, რაც უფრო დაბალ ნანომეტრზე გამოვა, მით უკეთესია. ერთი და იმავე არქიტექტურა, მაგალითად Zen პროცესორი 28 nm-ზე ნაკლებად ეფექტური იქნებოდა ვიდრე ეხლაა 14-ზე.

პროცესორები, ჩიპები, პლანშეტები, სერვერები, ამ ყველაფერს ჩიპები ჭირდება და დაბალი ნანომეტრის ტექნოლოგია გაცილებით ეფექუტრია. ამიტომ უპირატესობა ყოველთვის დაბალ ნანომეტრს ენიჭება.

  • Upvote 2
Link to comment
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.




×
×
  • Create New...

Important Information

We have placed cookies on your device to help make this website better. You can adjust your cookie settings, otherwise we'll assume you're okay to continue.